ប្រទេសចិនផលិតអង្គចងចាំ semiconductor លឿនបំផុតរបស់ពិភពលោកដោយជោគជ័យ

អ្នកស្រាវជ្រាវជនជាតិចិនបានបង្កើតអង្គចងចាំពន្លឺដោយប្រើឌីរ៉ាកក្រាហ្វិនពីរវិមាត្រជាមួយនឹងយន្តការថ្មីទាំងស្រុងដោយបំបែកដែនកំណត់ល្បឿននៃការរក្សាទុកព័ត៌មានអង្គចងចាំអគ្គិសនីឋិតិវន្ត។

ក្រុមស្រាវជ្រាវរបស់ប្រទេសចិន បានបង្កើតដោយជោគជ័យនូវឧបករណ៍អង្គចងចាំពន្លឺមួយដែលមានឈ្មោះថា PoX ដែលមានសមត្ថភាពរក្សាទុកទិន្នន័យក្នុងល្បឿន 1 ប៊ីតក្នុង 400 ភីកសែលវិនាទី។

វាគឺជាឧបករណ៍ផ្ទុកសារធាតុ semiconductor លឿនបំផុតដែលមិនធ្លាប់បានប្រកាស។

អង្គចងចាំដែលមិនងាយនឹងបង្កជាហេតុរបស់ឧបករណ៍នេះដំណើរការជាងបច្ចេកវិទ្យាអង្គចងចាំដែលងាយនឹងបង្កជាហេតុលឿនបំផុតនាពេលបច្ចុប្បន្ននេះ ដែលចំណាយពេលប្រហែល 1 ទៅ 10 ណាណូវិនាទីដើម្បីផ្ទុកទិន្នន័យបន្តិចបន្តួច។ picosecond គឺប្រហែលមួយពាន់លាននៃវិនាទី ឬមួយពាន់ពាន់លានវិនាទី។

ប្រភេទអង្គចងចាំងាយនឹងបង្កជាហេតុដូចជា SRAM ឬ DRAM បាត់បង់ទិន្នន័យនៅពេលថាមពលបាត់បង់ ដែលធ្វើឲ្យពួកវាមិនស័ក្តិសមសម្រាប់ប្រព័ន្ធថាមពលទាប។

ផ្ទុយទៅវិញ ប្រភេទអង្គចងចាំដែលមិនងាយនឹងបង្កជាហេតុដូចជា flash (ប្រភេទអង្គចងចាំដែលមិនតម្រូវឱ្យមានប្រភពថាមពលដើម្បីរក្សាទិន្នន័យដែលមានល្បឿនអាន/សរសេរលឿន) ទោះបីជាសន្សំសំចៃថាមពលក៏ដោយ ក៏វាមិនឆ្លើយតបទៅនឹងតម្រូវការប្រើប្រាស់ល្បឿនលឿននៃបញ្ញាសិប្បនិមិត្ត (AI) ដែរ។

ក្រុមអ្នកស្រាវជ្រាវនៅសាកលវិទ្យាល័យ Fudan បានបង្កើតអង្គចងចាំពន្លឺដោយប្រើឌីរ៉ាកក្រាហ្វីនពីរវិមាត្រជាមួយនឹងយន្តការថ្មីទាំងស្រុងដោយបំបែកដែនកំណត់ល្បឿននៃការផ្ទុកព័ត៌មានអង្គចងចាំអគ្គិសនីឋិតិវន្ត។ លទ្ធផល​ស្រាវជ្រាវ​ត្រូវ​បាន​ចុះ​ផ្សាយ​ក្នុង​ទស្សនាវដ្ដី Nature កាល​ពី​ថ្ងៃ​ទី​១៦ ខែ​មេសា។

យោងតាមអ្នកជំនាញរបស់ទស្សនាវដ្ដីនេះ វាគឺជាគម្រោងស្រាវជ្រាវថ្មីស្រឡាងទាំងស្រុង ដែលវាគ្រប់គ្រាន់ដើម្បីរៀបចំអនាគតដ៏មានសក្តានុពលសម្រាប់ជំនាន់នៃអង្គចងចាំពន្លឺល្បឿនលឿន។

លោក Zhou Peng ប្រធានក្រុមស្រាវជ្រាវនៃសាកលវិទ្យាល័យ Fudan បាននិយាយថា ដោយប្រើក្បួនដោះស្រាយ AI ដើម្បីបង្កើនប្រសិទ្ធភាពលក្ខខណ្ឌពិសោធន៍នៃដំណើរការ ក្រុមការងារបានបង្កើតបច្ចេកវិទ្យាឈានមុខគេ និងបើកការរំពឹងទុកសម្រាប់កម្មវិធីនាពេលអនាគត។/.

(ទីភ្នាក់ងារសារព័ត៌មានវៀតណាម/Vietnam+)

ប្រភព៖ https://www.vietnamplus.vn/trung-quoc-che-tao-thanh-cong-bo-nho-ban-dan-nhanh-nhat-the-gioi-post1033465.vnp