Galaxy S25 Plus จะมาพร้อมกับชิป Snapdragon 8 Elite

S25 Plus เป็นหนึ่งในสามรุ่นเรือธงที่ ซัมซุง จะเปิดตัวให้ผู้ใช้ในช่วงต้นปี 2025 ล่าสุดมีข้อมูลมากมายเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์นี้ถูกเผยแพร่ออกมา

ล่าสุด Galaxy S25 Plus ที่ใช้ชิป Snapdragon 8 Elite ได้ปรากฏบน Geekbench และทำคะแนนได้อย่างน่าประทับใจ คะแนนนี้บ่งบอกถึงประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นอย่างมากเมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้าอย่าง Galaxy S24 Plus

Galaxy S25 Plus จะมาพร้อมกับชิป Snapdragon 8 Elite

ด้วยเหตุนี้ S25 Plus จึงทำคะแนนได้อย่างน่าประทับใจ โดยได้ 3,160 คะแนนในการทดสอบแบบ Single-core และ 9,941 คะแนนในการทดสอบแบบ Multi-core ผลลัพธ์นี้สูงกว่าการทดสอบครั้งก่อนที่ S25 ทำคะแนนได้ 2,481 และ 8,658 คะแนนในการทดสอบเดียวกันอย่างเห็นได้ชัด

คุณอาจสนใจ

ปัญญาประดิษฐ์และโดรนสร้าง "เกราะป้องกันดิจิทัล" ให้กับป่าไม้VTV.vn - โซลูชันจากเยอรมนีใช้ปัญญาประดิษฐ์ โดรน และเซ็นเซอร์อัจฉริยะในการตรวจจับไฟป่าตั้งแต่เนิ่นๆ สนับสนุนการประเมินสถานการณ์ในพื้นที่ และเพิ่มประสิทธิภาพในการดับไฟ

Apple อาจทำให้ผิดหวังกับชิป A18 Pro

ซัมซุงกำลังทดสอบ One UI 8.5 บนอุปกรณ์ Galaxy หลายรุ่นซัมซุงกำลังขยายการทดสอบ One UI 8.5 ภายในองค์กรไปยังอุปกรณ์ระดับไฮเอนด์และระดับกลาง โดยคาดว่าจะเปิดตัวอย่างเป็นทางการพร้อมกับ Galaxy S26 ในต้นปีหน้า

ประสิทธิภาพของ S25 Plus ใกล้เคียงกับชิป Snapdragon 8 Elite รุ่นอ้างอิงของ Qualcomm ซึ่งแสดงให้เห็นถึงความพยายามของ Samsung ในการดึงศักยภาพของชิปออกมาให้ได้มากที่สุด

ผลการทดสอบ Geekbench ยืนยันว่ามีชิปเซ็ต Snapdragon 8 Elite สำหรับ Galaxy ซึ่งมีความเร็วสัญญาณนาฬิกา 4.47 GHz (สูงกว่า 4.32 GHz ของรุ่นมาตรฐาน)

มีข่าวลือว่า Samsung Galaxy S25 Plus จะมีการออกแบบด้านหลังที่ดูเรียบง่ายขึ้น โดยมีกล้องสามตัวเรียงกันในแนวตั้ง แม้ว่าจะมีการเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยก็ตาม คาดว่ากลุ่มกล้องด้านหลังจะมีขอบสีดำที่หนาขึ้นล้อมรอบเลนส์

คาดว่า S25 Plus จะมาพร้อมหน้าจอ LTPO ขนาด 6.7 นิ้ว พร้อมอัตราการรีเฟรชแบบปรับได้ตั้งแต่ 1Hz ถึง 120Hz ในแง่ของขนาด โทรศัพท์อาจแตกต่างจาก S24 Plus เล็กน้อย โดยมีขนาดประมาณ 158.4 x 75.7 x 7.3 มม. และอาจบางกว่ารุ่นก่อนหน้าประมาณ 0.44 มม.

สหรัฐอเมริกา - เวียดนาม: อย่าพลาด

กระทรวงการต่างประเทศได้รับสำเนาหนังสือแต่งตั้งเอกอัครราชทูตสหรัฐอเมริกาประจำเวียดนามแล้วในช่วงบ่ายของวันที่ 2 กรกฎาคม ณ สำนักงานใหญ่กระทรวงการต่างประเทศ นายเลอ คอง ดุง ผู้อำนวยการกรมพิธีการและล่ามต่างประเทศ ได้รับสำเนาหนังสือแต่งตั้งจากนางเจนนิเฟอร์ วิกส์ เอกอัครราชทูตสหรัฐอเมริกาประจำเวียดนาม

เอกอัครราชทูต เหงียน กว็อก ดุง เยือนและปฏิบัติงานในรัฐมินนิโซตา สหรัฐอเมริการะหว่างวันที่ 28-30 มิถุนายน นายเหงียน กว็อก ดุง เอกอัครราชทูตเวียดนามประจำสหรัฐอเมริกา ได้เดินทางเยือนและปฏิบัติงานในรัฐมินนิโซตา

เวียดนามสนับสนุนให้ธุรกิจของสหรัฐฯ ขยายการลงทุนในด้านเทคโนโลยีขั้นสูงเมื่อเช้าวันที่ 26 มิถุนายน ณ ทำเนียบรัฐบาล รองนายกรัฐมนตรี โฮ กว็อก ดุง ได้ให้การต้อนรับนายเจฟฟ์ เพลส ผู้อำนวยการฝ่ายห่วงโซ่อุปทานของบริษัท โคเฮอเรนท์ กรุ๊ป (สหรัฐอเมริกา) ในระหว่างการประชุม รองนายกรัฐมนตรีได้ยืนยันว่าเวียดนามสนับสนุนให้ธุรกิจของสหรัฐฯ ขยายการลงทุน โดยเฉพาะอย่างยิ่งในอุตสาหกรรมเทคโนโลยีขั้นสูง นวัตกรรม และเซมิคอนดักเตอร์

จากข้อมูลของ Ice Universe ผู้ปล่อยข่าวลือระบุว่า Galaxy S25 Plus จะมีแบตเตอรี่ขนาด 4,900 mAh คล้ายกับรุ่นก่อนหน้า และมีข่าวลือว่าจะมี RAM 12 GB และหน่วยความจำภายในอย่างน้อย 256 GB

คาดว่าสมาร์ทโฟนซีรีส์ S25 จะเปิดตัวในวันที่ 22 หรือ 23 มกราคม 2025

ที่มา: https://kinhtedothi.vn/galaxy-s25-plus-se-duoc-trang-bi-chip-snapdragon-8-elite.html