آئی فون فولڈ: تازہ ترین لیک سے قیمت اور بڑے پیمانے پر ریم کا پتہ چلتا ہے۔

جیسے جیسے 2026 قریب آرہا ہے، جس سال ایپل نے عام طور پر اپنے آئی فونز کی اگلی نسل کا آغاز کیا، آئی فون فولڈ کے بارے میں زیادہ سے زیادہ لیکس - کمپنی کا پہلا فولڈ ایبل آئی فون - ابھر رہا ہے۔

توقع ہے کہ آئی فون فولڈ نسبتاً چھوٹے فولڈ ایبل اسمارٹ فون مارکیٹ کے لیے ایک اہم موڑ کا نشان بنائے گا۔

ایک آئی فون فولڈ پروٹو ٹائپ۔ تصویر: فون ایرینا

برسوں سے، اینڈرائیڈ مینوفیکچررز نے فولڈ ایبل فونز کے ساتھ مسلسل تجربہ کیا ہے اور ان میں بہتری لائی ہے ، لیکن یہ طبقہ ابھی تک حقیقی معنوں میں عروج پر ہے۔ ماہرین کا خیال ہے کہ ایپل کی انٹری سے مارکیٹ کا منظرنامہ مکمل طور پر بدل سکتا ہے۔ نہ صرف آئی فون برانڈ کی اپیل کی بدولت، ایپل مبینہ طور پر ایک نئی اسکرین ٹکنالوجی بھی تیار کر رہا ہے جو فولڈ ایبل فونز کی سب سے بڑی خرابی کو دور کرے گی: اسکرین کے درمیان میں ظاہر ہونے والی پریشان کن کریز۔

اگر یہ افواہیں درست ہیں تو، آئی فون فولڈ مارکیٹ میں آنے والے اب تک کے سب سے بہتر فولڈ ایبل اسمارٹ فونز میں سے ایک بن سکتا ہے۔

"کتاب نما" فولڈنگ ڈیزائن کے ساتھ ایک بڑی، ٹیبلیٹ جیسی اسکرین۔

پچھلی لیکس کے مطابق، آئی فون فولڈ ایک "بک اسٹائل" فولڈنگ ڈیزائن استعمال کرے گا، جو بہت سے موجودہ فولڈ ایبل فونز کی طرح ہے۔ کھولے جانے پر، صارفین کے پاس تقریباً ایک ٹیبلیٹ کی طرح ایک بڑی اسکرین ہوگی۔ جب فولڈ کیا جاتا ہے، تو آلہ ایک عام اسمارٹ فون کی طرح کام کرتا ہے۔

اندرونی سکرین تقریباً 7.8 انچ بتائی جاتی ہے جو کہ ویڈیوز دیکھنے، ملٹی ٹاسکنگ یا گیمنگ جیسے کاموں کے لیے کافی ڈسپلے جگہ فراہم کرتی ہے۔ دریں اثنا، بیرونی ثانوی اسکرین، جسے کور اسکرین بھی کہا جاتا ہے، 5.5 انچ ہونے کی توقع ہے، جو ڈیوائس کو کھولے بغیر بنیادی افعال تک فوری رسائی کے لیے کافی بڑی ہے۔

آئی فون فولڈ ایک "بک اسٹائل" فولڈنگ ڈیزائن استعمال کرے گا، جو کہ بہت سے موجودہ فولڈ ایبل فون ماڈلز کی طرح ہے۔

پروسیسنگ پاور کے لحاظ سے، توقع کی جاتی ہے کہ ڈیوائس ایپل A20 پرو چپ سے لیس ہوگی، جو کہ خود ایپل کے ڈیزائن کردہ پروسیسرز کی ایک نئی نسل ہے۔ یہ چپ TSMC کی طرف سے 2 نینو میٹر کے عمل کا استعمال کرتے ہوئے تیار کی جائے گی، جو سیمی کنڈکٹر ٹیکنالوجی میں ایک اہم پیش رفت ہے۔

A20 پرو کی ایک قابل ذکر خصوصیت اس میں گیٹ آل اراؤنڈ (GAA) ٹرانزسٹر ٹیکنالوجی کا استعمال ہے۔ یہ فی الحال مروجہ FinFET فن تعمیر کے مقابلے میں ٹرانزسٹروں کی زیادہ جدید نسل ہے۔

Gate-All-Around ڈیزائن کے ساتھ، ٹرانزسٹر گیٹ پہلے کی طرح صرف تین کے بجائے کنڈکشن چینل کے چاروں اطراف کو گھیرے ہوئے ہے۔ یہ موجودہ رساو کو نمایاں طور پر کم کرتا ہے، جو کہ سیمی کنڈکٹر چپس کے ساتھ ایک بڑا مسئلہ ہے کیونکہ ٹرانزسٹر چھوٹے ہو جاتے ہیں۔

جب برقی رساو کو کم کیا جاتا ہے تو، کم بجلی استعمال کرتے ہوئے چپ اعلی کارکردگی کو برقرار رکھ سکتی ہے۔ ایک ہی وقت میں، زیادہ سے زیادہ ترسیل کرنٹ کو بھی بہتر بنایا گیا ہے۔ یہ کرنٹ کی وہ مقدار ہے جو چپ اس وقت لے جا سکتی ہے جب ٹرانجسٹر مکمل طور پر کھلی حالت میں کام کر رہا ہو۔

ڈرائیو کرنٹ جتنا زیادہ ہوگا، چپ کی گھڑی کی رفتار اتنی ہی زیادہ پہنچ سکتی ہے، یعنی تیز تر پروسیسنگ کی کارکردگی۔ نتیجے کے طور پر، آئی فون فولڈ نہ صرف طاقتور ہے بلکہ توانائی کی بچت بھی ہے، جو بڑی اسکرین والے آلات کے لیے ایک اہم عنصر ہے۔

RAM فلیگ شپ پرو ماڈلز کے برابر ہے۔

جنوبی کوریا کی ٹیک سائٹ دی بیل کی ایک نئی رپورٹ سے پتہ چلتا ہے کہ آئی فون فولڈ 12GB LPDDR5X ریم سے لیس ہوگا۔ یہ صلاحیت ایپل کے اعلی ترین فلیگ شپ فونز کے برابر ہے۔

خاص طور پر، آئی فون فولڈ میں آئی فون 17 پرو اور آئی فون 17 پرو میکس جیسی ریم کی مقدار ہوگی، اور یہ اپنے جانشینوں، آئی فون 18 پرو اور آئی فون 18 پرو میکس پر متوقع ریم لیولز سے بھی مماثل ہوگا۔

یہ میموری چپس سام سنگ کی طرف سے فراہم کیے جانے کی توقع ہے، جو کہ حیران کن نہیں ہے کہ جنوبی کوریا کی کارپوریشن اس وقت دنیا کے سب سے بڑے DRAM مینوفیکچررز میں سے ایک ہے۔

بڑی RAM کی گنجائش فولڈ ایبل ڈیوائسز کے لیے خاص طور پر کارآمد ہوگی، کیونکہ صارفین اکثر بڑی اسکرین پر بیک وقت چلنے والی متعدد ایپلی کیشنز کے ساتھ ملٹی ٹاسکنگ کا استعمال کرتے ہیں۔

میموری کے تین اختیارات اور ایک "ریکارڈ" قیمت۔

ویبو پر لیکر انسٹنٹ ڈیجیٹل کے مطابق ، ایپل سے توقع ہے کہ آئی فون فولڈ کو تین مختلف اسٹوریج آپشنز کے ساتھ پیش کرے گا۔

بیس ورژن میں 256GB اسٹوریج ہوگی، اس کے بعد 512GB، اور سب سے زیادہ آپشن 1TB ہے۔ یہ موجودہ ہائی اینڈ آئی فون ماڈلز پر ایک مانوس کنفیگریشن ہے۔

ماخذ: https://vietnamnet.vn/iphone-fold-ro-ri-moi-nhat-ve-gia-ban-ram-khung-2497300.html