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TSMC sta costruendo due nuovi stabilimenti per la produzione di chip a 2 nm.

Báo Thanh niênBáo Thanh niên22/01/2024


Secondo Tech News Space , l'amministratore delegato di TSMC, Mark Liu, ha condiviso i piani dell'azienda durante un recente incontro con analisti e investitori, esprimendo fiducia nel fatto che la produzione di massa di chip con tecnologia di processo a 2 nm inizierà già nel 2025. Ha inoltre menzionato l'intenzione di TSMC di costruire ulteriori impianti di produzione nell'Hsinchu Science Park e a Kaohsiung (Taiwan) per soddisfare la crescente domanda.

TSMC xây hai nhà máy mới để sản xuất chip 2nm- Ảnh 1.

TSMC punta a produrre in serie chip a 2 nm entro la seconda metà del 2025.

Nello specifico, il primo impianto sorgerà vicino a Baoshan (Hinchu), in prossimità del centro di ricerca R1, creato appositamente per lo sviluppo della tecnologia a 2 nm. Si prevede che l'impianto avvii la produzione di massa di semiconduttori a 2 nm nella seconda metà del 2025. Il secondo impianto, anch'esso progettato per la produzione di chip a 2 nm, sarà situato nel Parco Scientifico di Kaohsiung, parte del Parco Scientifico Meridionale di Taiwan, con l'avvio delle operazioni previsto per il 2026.

Inoltre, sono in corso i preparativi per la costruzione di un terzo stabilimento, che inizierà dopo che l'azienda avrà ricevuto l'approvazione dalle autorità taiwanesi.

Inoltre, TSMC sta lavorando attivamente per ottenere l'approvazione dalle autorità di Taiwan per la costruzione di un altro stabilimento nel Parco Scientifico di Taichung. Se la costruzione di questo impianto inizierà nel 2025, la produzione prenderà il via nel 2027. Con l'apertura di tutti e tre gli stabilimenti in grado di produrre chip con tecnologia a 2 nm, TSMC rafforzerà significativamente la sua posizione nel mercato globale dei semiconduttori e offrirà ai clienti nuove capacità per la produzione di chip di prossima generazione.

I piani a breve termine dell'azienda includono l'avvio della produzione di massa con tecnologia di processo a 2 nm, con l'obiettivo di utilizzare transistor a gate a circuito completo (GAA) a nanosheet entro la seconda metà del 2025. Una versione migliorata di questo processo, prevista per il 2026, integrerà l'alimentazione dal retro del chip, ampliando così le capacità di produzione di massa.



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