ASMLは先日、次世代リソグラフィシステム「Twinscan NXE」の発売に向けて順調に進んでいることを確認した。このシステムは1,000ワットのEUV光源を搭載し、1時間あたり最大330枚の半導体ウェハを処理できる。
2030年以降に発売予定のこの装置は、現在入手可能な最先端のEUV露光装置よりも50%以上高い出力を実現する。これらの装置は、半導体メーカーの生産性を大幅に向上させ、半導体ディスク1枚あたりのコストを最小限に抑えるのに役立つだろう。しかし、この目標を実現するために、ASMLは数々の課題を克服し、大きな技術的進歩を遂げなければならなかった。
ASMLの技術チームの担当者は、1キロワットの出力達成は驚異的な成果だと述べた。同社は1,500ワットへの明確な開発計画を描いており、将来的には2,000ワットへの到達も十分に可能だと考えている。
ASMLは今後10年以内に1,000ワットのEUV光源を実現するために、3つのレーザーパルスを用いた全く新しい光生成方法を開発する必要があった。この方法は、まずスズ液滴を平坦化するための第1サブパルス、次に液滴を膨張させるための第2サブパルス、そして最後にこれらのスズ液滴をプラズマ状態に変換してEUV光を放出させるためのメインレーザーパルスという手順で構成されている。
さらに、新システムには高性能な錫滴発生装置が搭載され、処理能力が倍増して毎秒10万滴の錫滴となる。
しかし、スズ滴の数を増やすと、排出されるデブリの量も増える。そのため、半導体ディスク表面を完全に清浄に保つには、全く新しいデブリコレクターが必要となる。
さらに、1,000ワットの放射線を発生させること自体が難しいが、そのエネルギーを半導体ディスクに伝達することはさらに困難である。そこでASMLは、処理能力を1時間あたり450枚以上の半導体ディスクにまで拡張できるように設計された、全く新しい高透過率光学レンズシステムを開発した。
光出力を向上させるには、半導体ウェハの取り付けおよび移動システムの包括的なアップグレードも必要となる。
この強力な光源には、次世代のフォトレジスト材料と保護膜が必要となる。つまり、ASMLだけでなく、半導体製造業界のエコシステム全体が、これらの新しいツールの登場に備えなければならないということだ。
現在、ASMLは1,000ワットの光源を製品ロードマップに組み込むための詳細な計画を策定している。次世代リソグラフィ装置は、2027年から2029年にかけて順次発売される予定だ。
出典：https://baophapluat.vn/cong-nghe-giup-tang-50-san-luong-chip.html
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