잘 알려지지 않은 회사가 삼성을 무너뜨리려 한다.

일본의 키옥시아는 투자금의 대부분을 NAND 플래시 메모리 기술에 집중하고 있다. 사진: 닛케이 .

일본의 메모리 제조업체인 키옥시아 홀딩스가 경쟁사로부터 시장 점유율을 되찾기 위한 새로운 전략을 발표할 준비를 하고 있다. 이러한 움직임은 데이터센터 메모리 수요 급증으로 낸드 플래시 스토리지 시장이 성장하는 가운데 나온 것이다.

닛케이 에 따르면 키옥시아는 6월 2일 투자자 설명회에서 기술 개발 로드맵을 공개할 예정입니다. 지난 설명회 이후 키옥시아의 주가는 34배 상승했습니다.

"저희는 NAND 플래시 메모리의 미래 잠재력을 믿었기 때문에 일찍부터 투자했습니다. 경쟁사 대비 상당한 우위를 점하고 있습니다."라고 키옥시아의 한 엔지니어는 강조했습니다.

낸드 플래시 메모리 시장 경쟁은 메모리 셀을 수직으로 쌓아 용량을 늘리는 데 집중되고 있습니다.

이 기술은 키옥시아의 전신인 도시바가 2007년에 개발했습니다. 하지만 최근 키옥시아는 적층 가능 층수 면에서 경쟁사에 비해 뒤처진다는 비판을 받고 있습니다.

2023년 초, 키옥시아는 218층의 메모리 셀을 포함하는 제품 개발에 성공했다고 발표했습니다. 얼마 지나지 않아 한국의 SK하이닉스는 300층 이상의 메모리 셀을 포함하는 제품을 개발했다고 밝혔습니다. 하지만 키옥시아의 주력 솔루션은 여전히 218층을 사용하고 있습니다.

경쟁사들의 압박 속에서 키옥시아는 자체 개발한 상호 연결 기술 덕분에 새로운 방향을 찾았습니다. 이 NAND 메모리는 정보 저장 셀 외에도 데이터 입출력을 관리하는 제어 회로를 포함하고 있습니다.

일반적으로 메모리 셀과 제어 회로는 기판 역할을 하는 동일한 반도체 웨이퍼에 탑재됩니다. 키옥시아의 CBA(Compact-Based Array) 기술은 이 두 구성 요소를 각각 다른 반도체 웨이퍼에 통합한 후 서로 연결할 수 있습니다.これにより 저장 밀도와 데이터 전송 속도가 향상됩니다.

반도체 웨이퍼를 연결하는 공정은 높은 정밀도를 요구합니다. 이와이코스모 증권의 애널리스트인 사이토 카즈요시에 따르면, 키옥시아의 NAND 메모리는 경쟁사 제품보다 읽기/쓰기 속도가 약 20~30% 더 빠릅니다.

초기에 업계는 CBA 기술에 큰 관심을 보이지 않았으며, 스태킹 방식이 여전히 더 간단하다고 생각했습니다. 그러나 AI에서 처리 속도가 점점 더 중요해짐에 따라 CBA의 이점이 빠르게 주목받기 시작했습니다.

애널리스트 토시야 스즈키는 "AI 서버의 인기가 높아짐에 따라 수요는 계속 증가할 것"이라고 말했다. 이 일본 기업의 주력 제품은 이미 이 기술을 활용하고 있다.