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La empresa japonesa Kioxia centra la mayor parte de su inversión en la tecnología de memoria flash NAND. Foto: Nikkei . |
Kioxia Holdings, fabricante japonés de memorias de almacenamiento, se prepara para anunciar una nueva estrategia con el objetivo de recuperar cuota de mercado frente a sus rivales. Esta iniciativa surge en medio de la creciente demanda de memorias para centros de datos, lo que impulsa el mercado de almacenamiento flash NAND.
Según Nikkei , se espera que Kioxia comparta su plan de desarrollo tecnológico en una reunión con inversores el 2 de junio. Desde su última reunión, el precio de las acciones de la compañía se ha multiplicado por 34.
"Invertimos antes porque creíamos en el potencial futuro de la memoria flash NAND. Tenemos una ventaja significativa sobre nuestros competidores", destacó un ingeniero de Kioxia.
La competencia en el mercado de la memoria flash NAND se centra en aumentar la capacidad apilando verticalmente las celdas de memoria.
Esta tecnología fue desarrollada en 2007 por Toshiba, la predecesora de Kioxia. Sin embargo, recientemente, Kioxia ha sido criticada por quedarse atrás con respecto a sus competidores en cuanto al número de capas apilables.
A principios de 2023, Kioxia anunció el desarrollo exitoso de un producto con 218 capas de celdas de memoria. Poco después, la empresa surcoreana SK Hynix declaró haber creado un producto con más de 300 capas. Las principales soluciones de Kioxia aún cuentan con 218 capas.
Presionada por la competencia, Kioxia encontró un nuevo rumbo gracias a su tecnología interconectada patentada. Además de las celdas de almacenamiento de información, la memoria NAND también contiene circuitos de control que gestionan la entrada y salida de datos.
Las celdas de memoria y los circuitos de control suelen montarse en la misma oblea semiconductora, que actúa como sustrato. La tecnología de Kioxia, denominada CBA, permite integrar ambos componentes en dos obleas semiconductoras separadas y luego conectarlas entre sí. Esto aumenta la densidad de almacenamiento y la velocidad de transferencia de datos.
El proceso de unión de obleas semiconductoras requiere alta precisión. Según Kazuyoshi Saito, analista de IwaiCosmo Securities, la memoria NAND de Kioxia ofrece velocidades de lectura/escritura entre un 20 % y un 30 % superiores a las de sus competidores.
Inicialmente, la industria mostró poco interés en la tecnología CBA, creyendo que el apilamiento seguía siendo más sencillo. Sin embargo, a medida que la velocidad de procesamiento cobró mayor importancia para la IA, las ventajas de CBA no tardaron en captar la atención.
"La demanda seguirá aumentando con la creciente popularidad de los servidores de IA", afirmó el analista Toshiya Suzuki. Los productos estrella de la compañía japonesa ya utilizan esta tecnología.
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Una fábrica de semiconductores de Kioxia en Japón. Foto: Bloomberg . |
Según Nikkei , competidores como Samsung están centrando sus inversiones en DRAM, una tecnología muy demandada durante las primeras etapas del auge de la IA. Por lo tanto, Kioxia podría beneficiarse de esto, ya que su competidor aún no se ha centrado en gran medida en NAND.
El desafío de Kioxia radica en su cuota de mercado. En el primer trimestre, la compañía ocupó el tercer lugar a nivel mundial en ingresos por memoria NAND, según datos de TrendForce (13,9%). Samsung lideró el mercado con una cuota del 31,6%.
Kioxia tampoco cuenta con muchos clientes en el segmento de centros de datos. Además, la demanda de memoria NAND para IA solo ha aumentado desde mediados de 2025, lo cual aún no es suficiente para evaluar la eficacia de la nueva tecnología.
"Samsung Electronics y SK Hynix han aprovechado su capacidad de suministro para asegurarse contratos a largo plazo con los clientes, lo que dificulta que Kioxia gane rápidamente cuota de mercado."
"Las empresas japonesas tendrán que convencer a los clientes del sector de los centros de datos aprovechando su tecnología interna", comentó Shuhei Ochiai, redactor de Nikkei .
Fuente: https://znews.vn/kioxia-tu-tin-canh-tranh-voi-samsung-post1656228.html









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