あまり知られていない企業がサムスンを打倒しようとしている。

AIへの需要が急増する中、日本のキオクシアは、自社の先進的なメモリ技術によって競合他社から市場シェアを取り戻せると期待している。

日本のキオクシアは、投資の大部分をNANDフラッシュメモリ技術に集中させている。写真：日経。

ストレージメモリメーカーである日本のキオクシアホールディングスは、競合他社から市場シェアを取り戻すための新たな戦略を発表する準備を進めている。この動きは、データセンター向けメモリの需要急増に伴い、NANDフラッシュストレージ市場が拡大している中で行われる。

日経新聞によると、キオクシアは6月2日に開催される投資家向け説明会で、技術開発ロードマップを発表する予定だ。前回の説明会以降、同社の株価は34倍に上昇している。

「NANDフラッシュメモリの将来性を信じていたからこそ、早期に投資を行ったのです。競合他社に対して大きな優位性を持っています」と、キオクシアのエンジニアは強調した。

NANDフラッシュメモリ市場における競争は、メモリセルを垂直方向に積み重ねることで容量を増やすことに焦点を当てている。

この技術は、キオクシアの前身である東芝によって2007年に開発された。しかし、近年、キオクシアは積層可能な層数において競合他社に後れを取っていると批判されている。

2023年初頭、キオクシアは218層のメモリセルを搭載した製品の開発に成功したと発表した。その後間もなく、韓国のSKハイニックスは300層を超える製品を開発したと発表した。キオクシアの主力製品は依然として218層である。

競合他社からのプレッシャーを受け、キオクシアは独自の相互接続技術によって新たな方向性を見出した。NANDメモリは、情報記憶セルに加えて、データの入出力を制御する制御回路も内蔵している。

メモリセルと制御回路は通常、基板となる同一の半導体ウェハ上に実装される。キオクシアのCBAと呼ばれる技術は、これら2つのコンポーネントを2枚の別々の半導体ウェハ上に集積し、それらを相互接続することを可能にする。これにより、記憶密度とデータ転送速度が向上する。

半導体ウェハーを接合する工程には高い精度が求められる。岩井コスモ証券のアナリスト、齋藤和義氏によると、キオクシアのNANDメモリは、競合他社製品に比べて約20～30%高速な読み書き速度を誇るという。

当初、業界はCBA技術にほとんど関心を示さず、スタッキングの方がまだ簡単だと考えていた。しかし、AIにとって処理速度がますます重要になるにつれ、CBAの利点が急速に注目を集めるようになった。

「AIサーバーの普及に伴い、需要は今後も増加し続けるだろう」とアナリストの鈴木敏也氏は述べた。同社の主力製品は既にこの技術を採用している。

日本のキオクシア半導体工場。写真：ブルームバーグ。

日経新聞によると、サムスンなどの競合他社は、AIブーム初期に非常に需要が高かったDRAMに投資を集中させている。そのため、キオクシアは、競合他社がまだNANDに本格的に注力していないことから、この状況から恩恵を受ける可能性がある。

キオクシアの課題は市場シェアにある。トレンドフォースのデータによると、同社は第1四半期のNAND売上高で世界第3位（13.9%）だった。サムスンは31.6%の市場シェアで首位に立っている。

キオクシアはデータセンター分野における顧客数も多くありません。さらに、AI向けNANDメモリの需要は2025年半ば頃から急増し始めたばかりであり、新技術の有効性を評価するにはまだ十分ではありません。

「サムスン電子とSKハイニックスは、自社の供給能力を活かして顧客との長期契約を確保しており、キオクシアが市場シェアを急速に拡大することは困難になっている。」

「日本の企業は、自社の技術力を活用してデータセンター分野の顧客を説得する必要があるだろう」と、日本経済新聞の落合周平記者はコメントした。

出典：https://znews.vn/kioxia-tu-tin-canh-tranh-voi-samsung-post1656228.html