Логотип Samsung Electronics у штаб-квартирі компанії в Сувоні, Південна Корея, 22 травня 2026 року. (Фото: AP)
29 травня компанія Samsung Electronics оголосила про початок поставок зразків своєї нової мікросхеми пам'яті HBM4E клієнтам, прагнучи зміцнити свої позиції в галузі компонентів для штучного інтелекту (ШІ).
HBM розшифровується як High-Bandwidth Memory (пам'ять високої пропускної здатності) – тип мікросхеми пам'яті, здатної передавати дуже великі обсяги даних за короткий проміжок часу. Це ключовий компонент серверів, що використовуються для навчання та роботи штучного інтелекту, оскільки ці системи повинні безперервно обробляти величезні обсяги даних.
За даними Samsung, нова модель HBM4E має 12 шарів багатошарових мікросхем пам'яті та на 20% швидша, ніж попередня серія HBM4 компанії. Таке багатошарове розташування збільшує можливості зберігання та передачі даних у невеликому просторі, подібно до додавання додаткових поверхів до будівлі замість розширення площі підлоги.
Samsung стверджує, що новий продукт використовує технологію пам'яті DRAM 6-го покоління. DRAM — це тип тимчасової пам'яті, яка допомагає пристроям швидко отримувати доступ до даних під час роботи. Чіп також використовує логічний кристал, виготовлений за 4-нанометровим технологічним процесом Samsung. Нанометри — це дуже малі одиниці, що використовуються для опису рівня складності технології виробництва чіпів; менші числа зазвичай вказують на більш досконалі виробничі можливості.
Логотип Samsung Electronics зображено на штаб-квартирі компанії в Сувоні, Південна Корея, 22 травня 2026 року. (Фото: AP)
Цей крок відбувається на тлі прагнення Samsung відновити темпи на ринку мікросхем пам'яті зі штучним інтелектом, після того, як компанія відстала від SK Hynix та Micron у постачанні передових мікросхем пам'яті, зокрема для Nvidia. Про постачання зразків HBM4E було оголошено лише через три місяці після того, як Samsung почала постачати мікросхеми HBM4 клієнтам у лютому.
Samsung заявила, що серед її клієнтів є AMD, Nvidia та Google, на тлі постійного високого попиту на мікросхеми пам'яті, що використовуються в серверах штучного інтелекту.
Акції Samsung Electronics ненадовго зросли на 6,5% під час ранкових торгів 29 травня, випередивши 2,3% зростання KOSPI, основного індексу південнокорейського фондового ринку. Акції SK Hynix також зросли на 1,2% протягом тієї ж сесії.
Згідно з даними Counterpoint Research, SK Hynix лідирувала на світовому ринку високошвидкісної пам'яті у четвертому кварталі 2025 року з часткою ринку 57%, за нею йдуть Samsung з 22% та Micron з 21%.
Джерело: https://vtv.vn/samsung-tang-toc-with-new-memory-chip-for-artificial-intelligence-100260529153141306.htm
Коментар (0)