למרות היותו מוצג כהתקדמות משמעותית, ביקורות של Nanoreview ו-Tomshardware מצביעות על כך שבעוד שה-Kirin 9000S מציע יתרונות רבים, יש לו גם כמה מגבלות בולטות.
וואווי עמדה בפני האפשרות לאבד גישה לטכנולוגיה שמקורה בארה"ב, כולל מערכות של TSMC, מה שאילץ אותה לבקש סיוע מ-SMIC לייצור ה-Kirin 9000S באמצעות תהליך 7 ננומטר.
ה-HiSilicon Kirin 9000 עדיין איטי יותר מקודמו. צילום: Huawei.
Nanoreview ערכה בדיקות מפורטות על ה-Kirin 9000S והשווה אותו לקודמו, ה-Kirin 9000. במבחן AnTuTu 10, ה-Kirin 9000S השיג ציון כולל כמעט זהה ל-Kirin 9000, אך סבל מירידה של 33% בביצועי ה-GPU.
במבחן Geekbench 6, ה-Kirin 9000S הציג ביצועי ריבוי משימות יוצאי דופן, כשהוא מהיר יותר מה-Kirin 9000 למרות מהירות שעון נמוכה יותר ומספר ליבות דומה. עם זאת, באופן מפתיע, ה-Kirin 9000 עלה על ביצועי מבחן 3DMark Wild Life ב-20%, דבר שעשוי להיות קשור ליכולות ה-GPU של ה-Kirin 9000.
ההבדל בין תהליך הייצור של SMIC בתהליך 7 ננומטר לבין תהליך N5 של TSMC הביא להבדל משמעותי ביעילות האנרגטית. ל-Kirin 9000S, המיוצר בתהליך הדור השני של SMIC, יעילות אנרגטית נמוכה משמעותית מזו של Kirin 9000.
טומסארדוור מסיקה כי ה-Kirin 9000S, למרות שהוא איטי יותר מקודמו, עדיין מהווה שבב טוב לסמארטפונים. עם זאת, השאלה נותרת האם הוא יהיה תחרותי מספיק בשוק תחרותי מאוד עם מוצרים של אפל, מדיהטק וקוואלקום. האמת מאחורי השבב האחרון של וואווי נותרה נושא מעניין, ומציבה אתגרים וסיכויים לעתיד החברה בתחום הטכנולוגיה הניידת.
[מודעה_2]
מָקוֹר









תגובה (0)