米国の阻止にもかかわらず、ファーウェイは5nmチップの生産方法を発見した

[広告_1]

ブルームバーグによると、ファーウェイとその中国の秘密の半導体製造パートナーは、先進的な半導体を製造するためのシンプルだが潜在的に効果的な技術的方法の特許を申請しており、米国の阻止の試みにもかかわらず、中国に半導体製造技術を改善する機会を与えている。

中国知的財産局に提出された特許書類によると、これらの企業は自己整合四次元パターニング（SAQP）と呼ばれる技術を開発しており、この技術により高度なリソグラフィー技術への依存度が低減されることになる。

SAQP は、トランジスタの密度を高め、チップのパフォーマンスを向上させるために、シリコンウェハ上にラインを繰り返しエッチングする技術です。

この技術により、オランダに拠点を置く世界唯一の極端紫外線（EUV）マシン供給業者であるASMLの高度なEUVリソグラフィー装置を必要とせずに、高度なチップを生産することが可能になる。しかし、ASMLは米国の規制により、EUVマシンを中国に販売することができない。

中国国家知識産権局への提出書類には、「この特許の申請により、回路設計の自由度が増す」と記されている。

ファーウェイのような中国のテクノロジー大手は、国内の半導体製造能力の強化に取り組んでいる。（写真：ロイター）

ファーウェイと提携する国営半導体製造装置開発会社SiCarrierは、2023年末にSAQP関連の特許を取得しました。同社の特許は、DUV深紫外線リソグラフィーとSAQP技術を組み合わせることで、5nmチップで一定の技術的限界を達成します。この手法は、EUV装置の使用を代替し、製造コストを削減することが可能です。

調査会社テックインサイツの副社長ダン・ハッチソン氏によると、中国が5nmチップを生産するにはSAQP技術で十分だが、長期的には同国は依然としてEUVマシンを導入する必要があるという。

「新技術は、高度なチップの製造におけるいくつかの困難を軽減することができますが、EUVの不足によって引き起こされる技術的問題を完全に克服することはできません」とダン氏は述べた。

台湾積体電路製造（TSMC）などの大手半導体メーカーは、歩留まりの高さからEUV装置を用いて先進的なチップを製造しています。ファーウェイとその提携企業が代替製造方法を採用した場合、チップ単価は業界標準よりも高くなる可能性があります。

現在商業生産されている最先端のチップはすべて3nmプロセスです。TSMCがApple向けに製造しているチップも例外ではありません。中国は現在7nmプロセスで製造可能ですが、これは約2世代遅れです。5nmプロセスに移行すれば、その差は1世代分に縮まります。

米国とその同盟国は長年にわたり、中国の半導体およびチップ製造装置へのアクセスを厳しく制限しており、その中には人工知能（AI）サービスのトレーニングに使われるASMLのEUVチップ製造装置やNVIDIAの最も強力なグラフィックプロセッサの輸出禁止も含まれている。

ジョー・バイデン米大統領の政権は、こうした規制は「国家安全保障に必要」だと述べている。

しかし、中国企業は独自の半導体製造能力の開発に数十億ドルを投資しており、ファーウェイは昨年、先進的な7nmプロセッサーを搭載した画期的なスマートフォンを発売し、米国、オランダ、日本の努力にもかかわらず中国のテクノロジー分野が進歩していることを示した。

ワシントンは、中国の進出を抑制するための更なる方法を模索している。韓国やドイツといった同盟国にもこの取り組みへの参加を促し、SiCarrierを含む、ファーウェイと関係のある他の中国半導体企業数社をブラックリストに載せることも検討している。

シティグループのアナリストのレポートによると、NauraやAMECを含む中国のチップ製造装置メーカーのグループも、「EUVは手の届かないところにある」ため、7nm以上のチップを製造するためにエッチングシステムによるパターン形成技術をさらに追加することを検討している。

「中国の半導体企業は高度なチップを生産するために主にSAQPを使用しており、中国のエッチング装置の密度が高まる可能性がある」と報告書は述べている。

中国政府は今年、国内の主要半導体製造装置サプライヤーを全面的に支援しており、今月、中国の李強首相が中央政府による支援を示す目的で大々的に報道された個人訪問でナウラの事務所を訪問した。

ホア・ヴー（出典：ブルームバーグ）