បច្ចុប្បន្ននេះ ឈ្មោះឈានមុខគេពីរនៅក្នុងឧស្សាហកម្មផលិតបន្ទះឈីប របស់ពិភពលោក គឺ TSMC និង Samsung Foundry រៀងគ្នា។ ទាំងពីរបានចាប់ផ្តើមអនុវត្តបច្ចេកវិទ្យាជ្រុលជ្រុល (EUV) lithography ទៅនឹងការផលិតបន្ទះឈីបចាប់តាំងពីឆ្នាំ 2019 ដោយត្រួសត្រាយផ្លូវសម្រាប់ថ្នាំងក្រោម 7 nm ។
និយាយឱ្យសាមញ្ញ ដំណើរការកាន់តែតូច ត្រង់ស៊ីស្ទ័រតូចជាងនៅលើបន្ទះឈីប សមត្ថភាពដំណើរការ និងការសន្សំថាមពលកាន់តែខ្ពស់ ដូច្នេះការប្រណាំងទៅកាន់ថ្នាំងតូចជាងគឺជាការប្រកួតធម្មតានៃក្រុមហ៊ុនយក្ស semiconductor ឈានមុខគេរបស់ពិភពលោក។
ត្រង់ស៊ីស្ទ័រតូចជាងអនុញ្ញាតឱ្យមានដង់ស៊ីតេកាន់តែច្រើននៅក្នុងតំបន់ដូចគ្នា; ហើយបន្ទះឈីបទំនើបអាចផ្ទុកត្រង់ស៊ីស្ទ័ររាប់សិបពាន់លាន (ឧទាហរណ៍ 3nm A17 Pro មាន 20 ពាន់លាននៅលើបន្ទះឈីប) ហើយចន្លោះរវាងពួកវាត្រូវតែស្តើងមិនគួរឱ្យជឿ។ នេះគឺជាកន្លែងដែលម៉ាស៊ីន lithography EUV ចូលមក។ មានក្រុមហ៊ុនតែមួយគត់នៅលើពិភពលោកដែលផលិតពួកវាគឺ ASML នៃប្រទេសហូឡង់។
ជំនាន់ក្រោយនៃកាំរស្មីអ៊ុលត្រាវីយូឡេជ្រុលនិយម ឬ High-NA EUV បានចាប់ផ្តើមដឹកជញ្ជូនហើយ។ ក្រុមហ៊ុន Intel ដែលបានសន្យាថានឹងទទួលបាននូវការនាំមុខ node ដំណើរការពី TSMC និង Samsung Foundry នៅឆ្នាំ 2025 គឺជាអ្នកដំបូងគេដែលបានទិញម៉ាស៊ីន EUV កម្រិតខ្ពស់ថ្មី $400 លានដុល្លារ ដែលនឹងបង្កើន Numerical Aperture ពី 0.33 ទៅ 0.55 ។ (NA គឺជាសមត្ថភាពប្រមូលផ្តុំពន្លឺនៃប្រព័ន្ធកញ្ចក់ ហើយជារឿយៗត្រូវបានប្រើដើម្បីវាយតម្លៃគុណភាពបង្ហាញដែលប្រព័ន្ធអុបទិកអាចសម្រេចបាន។)
ម៉ាស៊ីន lithography EUV កម្រិតខ្ពស់ NA កំពុងត្រូវបានផ្គុំនៅ Oregon សហរដ្ឋអាមេរិក។ (រូបថត៖ Intel)
នេះអនុញ្ញាតឱ្យម៉ាស៊ីនឆ្លាក់ព័ត៌មានលម្អិត semiconductor តូចជាង 1.7 ដង និងបង្កើនដង់ស៊ីតេត្រង់ស៊ីស្ទ័ររបស់បន្ទះឈីប 2.9 ដង។
EUV ជំនាន់ទី 1 បានជួយស្ថាបនិកបំបែកចូលទៅក្នុងថ្នាំង 7nm ហើយម៉ាស៊ីន NA EUV កម្រិតខ្ពស់បន្ថែមទៀតនឹងជំរុញការផលិតបន្ទះឈីបទៅកាន់ថ្នាំងដំណើរការ 1nm និងសូម្បីតែទាបជាង។ ASML និយាយថា NA ខ្ពស់នៃ 0.55 នៅលើម៉ាស៊ីនជំនាន់ក្រោយគឺជាអ្វីដែលជួយឧបករណ៍ថ្មីឱ្យដំណើរការជាងម៉ាស៊ីន EUV ជំនាន់ទីមួយ។
ក្រុមហ៊ុន Intel ត្រូវបានគេនិយាយថាមានម៉ាស៊ីន EUV កម្រិតខ្ពស់ចំនួន 11 ដោយម៉ាស៊ីនទីមួយត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងបញ្ចប់នៅឆ្នាំ 2025 ។ ទន្ទឹមនឹងនោះ TSMC គ្រោងនឹងប្រើប្រាស់ម៉ាស៊ីនថ្មីនៅឆ្នាំ 2028 ជាមួយនឹងថ្នាំងដំណើរការ 1.4nm ឬនៅឆ្នាំ 2030 ជាមួយនឹងថ្នាំងដំណើរការ 1nm ។ TSMC នឹងបន្តប្រើប្រាស់ម៉ាស៊ីន EUV ចាស់របស់ខ្លួនដើម្បីផលិតបន្ទះឈីប 2nm នៅឆ្នាំក្រោយ។ ជាមួយនឹង NA EUV កម្រិតខ្ពស់ Intel សង្ឃឹមថានឹងតាមទាន់ TSMC និង Samsung នៅក្នុងផ្នែកគ្រឹះដ៏ទំនើបបំផុត។
ប៉ុន្តែ Intel នៅតែប្រឈមមុខនឹងការផលិតទាប ការខាតបង់ផ្នែកហិរញ្ញវត្ថុ និងតម្លៃភាគហ៊ុនដែលបានធ្លាក់ចុះដល់ចំណុចដែលវាត្រូវបានដកចេញពីសន្ទស្សន៍ Dow Industrials នៃភាគហ៊ុនដែលមានឥទ្ធិពលបំផុតទាំង 30 នៅក្នុងទីផ្សារភាគហ៊ុនសហរដ្ឋអាមេរិក។ អ្វីដែលអាក្រក់សម្រាប់ Intel ដែលវាមានប្រភពចេញពីការផលិតបន្ទះឈីបទៅ TSMC នៅកម្រិត 3nm និងខ្ពស់ជាងនេះ។
ក្នុងនាមជារោងចក្រឈានមុខគេរបស់ប្រទេសចិន និងជាក្រុមហ៊ុនធំបំផុតទីបីរបស់ពិភពលោកបន្ទាប់ពី TSMC និង Samsung Foundry SMIC មិនត្រូវបានអនុញ្ញាតឱ្យទិញម៉ាស៊ីន lithography EUV ជំនាន់ទី 1 ដោយសារតែការដាក់ទណ្ឌកម្មរបស់សហរដ្ឋអាមេរិក។ ផ្ទុយទៅវិញ វាត្រូវបានបង្ខំឱ្យប្រើម៉ាស៊ីន lithography Deep Ultraviolet (DUV) ចាស់ៗ ដែលព្យាយាមផលិតបន្ទះសៀគ្វីថ្នាំងរង 7nm ។
ប្រភព
Kommentar (0)