중국, 세계에서 가장 빠른 반도체 메모리 개발 성공

중국 연구진은 완전히 새로운 메커니즘을 갖춘 2차원 디랙 그래핀을 사용하여 플래시 메모리를 개발해, 정전기 메모리 정보 저장 및 접근의 속도 한계를 돌파했습니다.

중국 연구팀은 400피코초 안에 1비트 속도로 데이터를 저장할 수 있는 PoX라는 획기적인 플래시 메모리 장치를 만드는 데 성공했습니다.

이는 지금까지 발표된 가장 빠른 반도체 저장 장치입니다.

이 장치의 비휘발성 메모리는 현재 가장 빠른 휘발성 메모리 기술보다 성능이 뛰어납니다. 휘발성 메모리 기술은 데이터 비트를 저장하는 데 약 1~10나노초가 걸립니다. 피코초는 약 1/1000나노초, 즉 1조분의 1초입니다.

SRAM이나 DRAM과 같은 휘발성 메모리 유형은 전원이 꺼지면 데이터가 손실되므로 저전력 시스템에 적합하지 않습니다.

이와 대조적으로 플래시(빠른 읽기/쓰기 속도로 데이터를 유지하기 위해 전원이 필요하지 않은 메모리 유형)와 같은 비휘발성 메모리 유형은 에너지 효율적이기는 하지만 인공 지능(AI)의 고속 액세스 요구 사항을 충족하지 못합니다.

푸단대학교 연구진은 완전히 새로운 메커니즘을 갖춘 2차원 디랙 그래핀을 이용한 플래시 메모리를 개발하여 정전기 메모리 정보 저장 및 접근 속도 한계를 돌파했습니다. 이 연구 결과는 4월 16일 네이처(Nature)지에 게재되었습니다.

해당 잡지의 전문가에 따르면, 이는 고속 플래시 메모리 세대의 잠재적 미래를 형성하기에 충분한 완전히 새로운 획기적인 연구 프로젝트입니다.

복단대학교 연구팀장인 저우펑은 AI 알고리즘을 사용하여 공정의 실험 조건을 최적화함으로써 팀이 획기적인 기술을 개발하고 미래 응용 분야에 대한 전망을 열었다고 말했습니다.

(베트남+)

출처: https://www.vietnamplus.vn/trung-quoc-che-tao-thanh-cong-bo-nho-ban-dan-nhanh-nhat-the-gioi-post1033465.vnp