China pronta para litografia EUV nacional

Embora a SMIC tenha produzido com sucesso wafers de 5 nm com máquinas DUV, a produção em massa tem sido difícil devido aos altos custos e baixos rendimentos. Esses obstáculos também afetaram negativamente a Huawei e impediram a empresa de ultrapassar a tecnologia de 7 nm. Mas as coisas estão melhorando, já que a SMIC está gradualmente migrando para máquinas EUV fabricadas na China.

A máquina EUV da ASML tem o tamanho de um ônibus.

Segundo o relatório mais recente, a SMIC deverá iniciar a produção experimental de máquinas EUV personalizadas no terceiro trimestre de 2025. Essas máquinas utilizarão a tecnologia de plasma de descarga induzida por laser (LDP), diferente da tecnologia de plasma induzido por laser (LPP) da ASML.

A produção em massa de máquinas EUV próprias da China poderá começar em 2026, com designs mais simples e eficientes em termos de energia, o que ajudaria a China a reduzir sua dependência de empresas afetadas pela proibição dos EUA e lhe daria uma vantagem competitiva.

Máquina EUV “Fabricada na China” revelada pela primeira vez

Imagens compartilhadas recentemente em redes sociais mostram um novo sistema sendo testado nas instalações da Huawei em Dongguan. Uma equipe de pesquisa do Centro de Inovação da Província de Harbin desenvolveu uma técnica de plasma por descarga elétrica capaz de produzir luz ultravioleta extrema (EUV) com comprimento de onda de 13,5 nm, atendendo à demanda do mercado.

A imagem vazada supostamente mostra uma máquina EUV chinesa sendo preparada para testes.

O processo envolve a vaporização de estanho entre eletrodos e sua conversão em plasma por meio de uma descarga de alta tensão, com colisões entre elétrons e íons criando o comprimento de onda necessário. Comparada à tecnologia LPP da ASML, a tecnologia LDP apresenta um design mais simples e compacto, consome menos energia e tem custos de fabricação mais baixos.

Antes do início desses testes, a SMIC e a China ainda dependiam de máquinas DUV mais antigas, que utilizavam comprimentos de onda de 248 nm e 193 nm, muito inferiores ao comprimento de onda de 13,5 nm da EUV. Devido a essa limitação, a SMIC precisava realizar múltiplas etapas de padronização para alcançar nós avançados, o que não só aumentava os custos de produção dos wafers, como também prolongava os prazos de produção, resultando em custos elevados. Consequentemente, os chips de 5 nm da SMIC seriam 50% mais caros do que os chips da TSMC quando produzidos com a mesma tecnologia de litografia.

Atualmente, a Huawei está limitada a desenvolver seus próprios chips Kirin no processo de 7 nm, podendo realizar apenas pequenos ajustes para aprimorar as capacidades de novos SoCs. Caso a China consiga desenvolver máquinas EUV avançadas, a Huawei poderá reduzir a diferença para a Qualcomm e a Apple, trazendo a tão necessária competitividade para a indústria de semicondutores.

Fonte: https://thanhnien.vn/trung-quoc-san-sang-cho-may-in-thach-ban-euv-cay-nha-la-vuon-185250310223353963.htm