Логотип Samsung Electronics в штаб-квартире компании в Сувоне, Южная Корея, 22 мая 2026 года. (Фото: AP)
Компания Samsung Electronics 29 мая объявила о начале поставок образцов своей новейшей микросхемы памяти HBM4E клиентам, стремясь укрепить свои позиции в области компонентов для искусственного интеллекта (ИИ).
HBM расшифровывается как High-Bandwidth Memory (высокоскоростная память) — это тип микросхемы памяти, способной передавать очень большие объемы данных за короткий промежуток времени. Это важнейший компонент серверов, используемых для обучения и работы ИИ, поскольку эти системы должны непрерывно обрабатывать огромные массивы данных.
По данным Samsung, новая модель HBM4E имеет 12 слоев расположенных друг над другом микросхем памяти и на 20% быстрее, чем предыдущая серия HBM4. Такая многослойная компоновка увеличивает возможности хранения и передачи данных в небольшом пространстве, подобно тому, как если бы к зданию добавляли этажи вместо расширения площади.
Компания Samsung заявляет, что в новом продукте используется технология памяти DRAM 6-го поколения. DRAM — это тип временной памяти, которая помогает устройствам быстро получать доступ к данным во время работы. В чипе также используется логический кристалл, изготовленный по 4-нанометровому техпроцессу Samsung. Нанометры — это очень маленькие единицы измерения, используемые для описания уровня сложности технологии производства чипов; меньшие числа, как правило, указывают на более продвинутые производственные возможности.

Логотип Samsung Electronics на здании штаб-квартиры компании в Сувоне, Южная Корея, 22 мая 2026 года. (Фото: AP)
Этот шаг предпринят в стремлении Samsung восстановить свои позиции на рынке микросхем памяти для искусственного интеллекта, после того как компания отстала от SK Hynix и Micron в поставках передовых микросхем памяти, особенно для Nvidia. О начале поставок образцов HBM4E было объявлено всего через три месяца после того, как Samsung начала поставки микросхем HBM4 клиентам в феврале.
Компания Samsung заявила, что среди ее клиентов — AMD, Nvidia и Google, на фоне сохраняющегося высокого спроса на микросхемы памяти, используемые в серверах для искусственного интеллекта.
Акции Samsung Electronics ненадолго выросли на 6,5% в ходе утренних торгов 29 мая, опередив рост KOSPI, основного индекса южнокорейской фондовой биржи, на 2,3%. Акции SK Hynix также выросли на 1,2% за ту же сессию.
Согласно данным Counterpoint Research, в четвертом квартале 2025 года компания SK Hynix лидировала на мировом рынке высокоскоростных микросхем памяти с долей рынка в 57%, за ней следовали Samsung с 22% и Micron с 21%.
Источник: https://vtv.vn/samsung-tang-toc-with-new-memory-chip-for-artificial-intelligence-100260529153141306.htm







Комментарий (0)