Группа китайских исследователей успешно создала революционное устройство флэш-памяти PoX, способное хранить данные со скоростью 1 бит за 400 пикосекунд.
Это самое быстрое полупроводниковое запоминающее устройство из когда-либо анонсированных.
Энергонезависимая память устройства превосходит по производительности самую быструю на сегодняшний день энергозависимую память, в которой для сохранения бита данных требуется от 1 до 10 наносекунд. Пикосекунда составляет примерно одну тысячную наносекунды, или одну триллионную секунды.
Типы энергозависимой памяти, такие как SRAM или DRAM, теряют данные при отключении питания, что делает их непригодными для систем с низким энергопотреблением.
Напротив, энергонезависимые типы памяти, такие как флэш-память (тип памяти, не требующий источника питания для сохранения данных с высокой скоростью чтения/записи), хотя и энергоэффективны, не отвечают требованиям высокоскоростного доступа искусственного интеллекта (ИИ).
Исследователи из Университета Фудань разработали флэш-память на основе двумерного графена Дирака с совершенно новым механизмом, преодолевающим ограничения скорости хранения и доступа к информации, характерные для статической электрической памяти. Результаты исследования были опубликованы в журнале Nature 16 апреля.
По мнению экспертов журнала, это совершенно новый и новаторский исследовательский проект, способный определить потенциальное будущее поколения высокоскоростной флэш-памяти.
Руководитель исследовательской группы Университета Фудань Чжоу Пэн отметил, что, используя алгоритмы ИИ для оптимизации экспериментальных условий процесса, группа разработала прорывную технологию и открыла перспективы для будущих применений.
Источник: https://www.vietnamplus.vn/trung-quoc-che-tao-thanh-cong-bo-nho-ban-dan-nhanh-nhat-the-gioi-post1033465.vnp
![[Морские новости] Более 80% мировых контейнерных перевозок находится в руках MSC и крупных судоходных альянсов.](https://vphoto.vietnam.vn/thumb/402x226/vietnam/resource/IMAGE/2025/7/16/6b4d586c984b4cbf8c5680352b9eaeb0)
Комментарий (0)