ASML hat kürzlich bestätigt, dass die Markteinführung des Twinscan NXE Lithografiesystems der nächsten Generation planmäßig verläuft. Dieses System ist mit einer 1000-Watt-EUV-Lichtquelle ausgestattet und kann bis zu 330 Halbleiterwafer pro Stunde bearbeiten.
Diese Maschine, deren Markteinführung für 2030 oder später erwartet wird, wird über 50 % mehr Leistung bieten als die modernsten derzeit verfügbaren EUV-Anlagen. Sie wird Chipherstellern helfen, die Produktivität deutlich zu steigern und die Kosten pro Halbleiterdiskette zu minimieren. Um dieses Ziel zu erreichen, musste ASML jedoch eine Reihe von Herausforderungen meistern und bedeutende technologische Fortschritte erzielen.
Vertreter des Technologie-Teams von ASML erklärten, dass das Erreichen einer Leistung von einem Kilowatt eine äußerst beeindruckende Leistung sei. Das Unternehmen sieht sogar einen klaren Entwicklungspfad hin zu 1.500 Watt und ist überzeugt, dass 2.000 Watt in Zukunft durchaus erreichbar sind.
Um innerhalb des nächsten Jahrzehnts eine 1000-Watt-EUV-Quelle zu realisieren, musste ASML ein völlig neues Lichterzeugungsverfahren mit drei Laserpulsen entwickeln. Dieses Verfahren beinhaltet einen ersten Teilpuls zum Abflachen der Zinntröpfchen, einen zweiten Teilpuls zu deren Ausdehnung und schließlich einen Hauptlaserpuls, der die Zinntröpfchen in einen Plasmazustand überführt, um EUV-Licht zu emittieren.
Darüber hinaus wird das neue System mit einem hochentwickelten Zinntröpfchengenerator ausgestattet sein, der die Betriebskapazität auf 100.000 Zinntröpfchen pro Sekunde verdoppelt.
Eine Erhöhung der Anzahl der Zinntröpfchen führt jedoch zu einem vermehrten Abrieb. Daher benötigt das System einen völlig neuen Abriebbehälter, um die absolute Sauberkeit der Halbleiterscheibenoberfläche zu gewährleisten.
Darüber hinaus ist die Erzeugung von 1.000 Watt Strahlung schwierig, die Übertragung dieser Energie auf die Halbleiterscheibe jedoch noch anspruchsvoller. Aus diesem Grund entwickelte ASML ein völlig neues optisches Linsensystem mit hoher Lichtdurchlässigkeit, das die Verarbeitungskapazität auf über 450 Halbleiterscheiben pro Stunde steigern soll.
Eine höhere Lichtausbeute erfordert zudem eine umfassende Modernisierung der Montage- und Bewegungssysteme für die Halbleiterwafer.
Diese leistungsstarke Lichtquelle erfordert Fotolacke der nächsten Generation und Schutzfolien. Das bedeutet, dass sich nicht nur ASML, sondern das gesamte Ökosystem der Chipindustrie auf die Einführung dieser neuen Technologien vorbereiten muss.
ASML hat derzeit detaillierte Pläne zur Integration einer 1000-Watt-Lichtquelle in seine Produktstrategie. Die nächste Generation von Lithografiemaschinen soll voraussichtlich sukzessive zwischen 2027 und 2029 auf den Markt kommen.
Quelle: https://baophapluat.vn/cong-nghe-giup-tang-50-san-luong-chip.html
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