Une équipe de recherche dirigée par les professeurs Peng Hailin et Qiu Chenguang de l'Université de Pékin a développé avec succès un transistor GAAFET bidimensionnel (2D), considéré comme le premier transistor basse consommation au monde . Les résultats de leurs recherches ont été publiés dans la revue Nature , et de nombreux membres de l'équipe ont qualifié cette découverte d'« avancée majeure ».
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Selon l'annonce, l'équipe a fabriqué une configuration 2D monocristalline multicouche GAA à l'échelle d'une tranche. « C'est le transistor le plus rapide et le plus performant jamais conçu », a déclaré le professeur Peng. Il a également comparé le développement de transistors à base de matériaux 2D à des « voies de commutation », tandis que les améliorations basées sur des matériaux existants ne sont que des « raccourcis ».
Les transistors GAAFET de l'équipe ont été testés par rapport à des produits de grandes entreprises telles qu'Intel, TSMC et Samsung, et les résultats ont montré des performances supérieures dans des conditions de fonctionnement similaires. Les GAAFET, ou transistors à effet de champ à grille périphérique, constituent la prochaine étape de l'évolution de la technologie des transistors, après les MOSFET et les FINFET. Cette innovation provient principalement de la possibilité de mieux contrôler les interfaces source et grille.
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Le point fort des recherches de l'Université de Pékin est l'utilisation de l'oxyséléniure de bismuth (Bi₂O₂Se), un matériau semi-conducteur 2D plus flexible et plus résistant que le silicium à petite échelle. Le passage du silicium au bismuth offre non seulement un potentiel pour l'industrie des semi-conducteurs, mais renforce également la compétitivité de la Chine dans ce domaine, notamment dans le contexte de la guerre commerciale actuelle entre les États-Unis et la Chine.
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La Chine investit massivement dans la recherche technologique pour surmonter ses limites actuelles, non seulement pour rattraper son retard, mais aussi pour devenir leader du secteur des semi-conducteurs. Si les transistors GAAFET 2D ne représentent peut-être pas l'avenir exclusif de la fabrication de semi-conducteurs, les recherches démontrent l'innovation et le potentiel de la jeune génération chinoise pour propulser le secteur technologique. Alors que les États-Unis continuent d'imposer des restrictions commerciales, le secteur technologique chinois est engagé dans une course contre la montre pour affirmer sa position.
Source : https://thanhnien.vn/trung-quoc-tao-chat-ban-dan-nhanh-nhat-the-gioi-theo-cach-la-thuong-18525031510065426.htm
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