Η Samsung ξεκινά μαζική παραγωγή μνήμης DDR5 DRAM 12nm

Σύμφωνα με το Devdiscourse , η νέα DRAM της εταιρείας θα στοχεύσει σε εφαρμογές τεχνητής νοημοσύνης με υψηλότερη απόδοση. Η Samsung δήλωσε ότι η τελευταία DRAM DDR5 12nm προσφέρει σημαντικά πλεονεκτήματα σε σχέση με την προηγούμενη γενιά, όπως μείωση της κατανάλωσης ενέργειας έως και 23% και αύξηση της απόδοσης των wafer κατά έως και 20%, καθιστώντας την την ιδανική επιλογή για παγκόσμιες εταιρείες πληροφορικής που επιθυμούν να ελαχιστοποιήσουν την κατανάλωση ενέργειας και να μειώσουν τις εκπομπές άνθρακα για τους διακομιστές και τα κέντρα δεδομένων τους.

Η DRAM 12nm DDR5 υπόσχεται εξαιρετικά οφέλη

Η ανάπτυξη της τεχνολογίας 12nm καθίσταται δυνατή με τη χρήση νέων υλικών που αυξάνουν την χωρητικότητα των κυψελών, με αποτέλεσμα σημαντικές διαφορές τάσης στα σήματα δεδομένων και διευκολύνοντας την ακριβή διάκρισή τους. Επιπλέον, οι προσπάθειες της εταιρείας για μείωση του θορύβου και της τάσης λειτουργίας παρέχουν μια ιδανική λύση για τους πελάτες διακομιστών.

Ο Jooyoung Lee, εκτελεστικός αντιπρόεδρος προϊόντων DRAM της Samsung, δήλωσε ότι η νέα DRAM αντικατοπτρίζει τη συνεχή δέσμευση της εταιρείας να ηγηθεί της αγοράς DRAM, όχι μόνο με προϊόντα υψηλής απόδοσης και χωρητικότητας που καλύπτουν τις ανάγκες της αγοράς υπολογιστών για επεξεργασία μεγάλης κλίμακας, αλλά και με την εμπορευματοποίηση λύσεων επόμενης γενιάς που υποστηρίζουν υψηλότερες αποδόσεις.

Η σειρά DRAM 12nm DDR5 της Samsung προσφέρει εντυπωσιακή μέγιστη ταχύτητα 7,2 Gbps, επιτρέποντας την επεξεργασία μιας ταινίας UHD 30 GB σε μόλις 1 δευτερόλεπτο. Αυτή η εξαιρετική ταχύτητα την καθιστά κατάλληλη για ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών, όπως κέντρα δεδομένων, τεχνητή νοημοσύνη και υπολογιστές επόμενης γενιάς.

Σύνδεσμος πηγής: https://thanhnien.vn/samsung-bat-dau-san-xuat-hang-loat-dram-ddr5-12nm-185230518144342623.htm