China, lista para la litografía EUV de fabricación nacional

Aunque SMIC ha producido con éxito obleas de 5 nm con máquinas DUV, la producción en masa todavía es difícil debido a los altos costos y los bajos rendimientos. Estos obstáculos también afectan negativamente a Huawei e impiden que la compañía supere la tecnología de 7 nm. Pero las cosas están mejorando ya que SMIC está avanzando lentamente hacia su propia máquina EUV fabricada en China.

La máquina EUV de ASML tiene el tamaño de un autobús

Según el último informe, se espera que SMIC inicie la producción de prueba de máquinas EUV personalizadas en el tercer trimestre de 2025. Estas máquinas utilizarán tecnología de plasma inducido por láser (LDP), a diferencia del plasma inducido por láser (LPP) de ASML.

La producción en masa de la máquina EUV de fabricación china podría comenzar en 2026, con un diseño más simple y con mayor eficiencia energética. Esto ayudaría a China a reducir su dependencia de las empresas afectadas por la prohibición estadounidense y crearía una ventaja competitiva.

Se revela por primera vez una máquina EUV "fabricada en China"

Imágenes compartidas recientemente desde cuentas de redes sociales muestran un nuevo sistema que se está probando en las instalaciones de Huawei en Dongguan. Un equipo de investigación de Harbin Provincial Innovation ha desarrollado una técnica de plasma de descarga que es capaz de producir lámparas EUV con una longitud de onda de 13,5 nm, satisfaciendo la demanda del mercado.

Se dice que la imagen filtrada es de una máquina EUV china preparándose para las pruebas.

El proceso implica vaporizar estaño entre electrodos y convertirlo en plasma a través de una descarga de alto voltaje, donde las colisiones electrones-iones generan la longitud de onda requerida. En comparación con el LPP de ASML, se dice que la tecnología LDP tiene un diseño más simple y compacto, consume menos energía y tiene costos de fabricación más bajos.

Antes de que comenzaran estos ensayos, SMIC y China todavía tenían que depender de máquinas DUV más antiguas, que utilizaban longitudes de onda de 248 nm y 193 nm, que eran muy inferiores a la longitud de onda de 13,5 nm de EUV. Debido a esta limitación, SMIC necesita lograr múltiples pasos de creación de prototipos para lograr nodos avanzados, lo que no solo aumenta el costo de fabricación de obleas sino que también prolonga el tiempo de entrega, lo que resulta en facturas enormes. Como resultado, los chips de 5 nm de SMIC serán un 50% más caros que los de TSMC cuando se fabriquen con la misma tecnología de fotolitografía.

Actualmente, Huawei se limita a desarrollar sus propios chips Kirin en el proceso de 7 nm, mientras que la compañía solo puede realizar ajustes menores para mejorar las capacidades de los nuevos SoC. Si China logra desarrollar maquinaria EUV avanzada, Huawei podría cerrar la brecha con Qualcomm y Apple y aportar una competencia muy necesaria a la industria de los semiconductores.

Fuente: https://thanhnien.vn/trung-quoc-san-sang-cho-may-in-thach-ban-euv-cay-nha-la-vuon-185250310223353963.htm