China, lista para la litografía EUV de fabricación nacional

Si bien SMIC ha producido con éxito obleas de 5 nm con sus máquinas DUV, la producción en masa se ha visto obstaculizada por los altos costos y el bajo rendimiento. Estos obstáculos también han afectado negativamente a Huawei, impidiéndole avanzar más allá de la tecnología de 7 nm. Sin embargo, la situación parece mejorar, ya que SMIC está avanzando gradualmente hacia sus propias máquinas EUV fabricadas en China.

La máquina EUV de ASML tiene el tamaño de un autobús

Según el último informe, se espera que SMIC inicie la producción de prueba de máquinas EUV personalizadas en el tercer trimestre de 2025. Estas máquinas utilizarán tecnología de plasma de descarga inducida por láser (LDP), diferente del plasma inducido por láser (LPP) de ASML.

La producción en masa de las propias máquinas EUV de China podría comenzar en 2026, con diseños más simples y energéticamente eficientes, lo que ayudaría a China a reducir su dependencia de las empresas afectadas por la prohibición estadounidense y le daría una ventaja competitiva.

Se revela por primera vez una máquina EUV "fabricada en China"

Imágenes compartidas recientemente en redes sociales muestran un nuevo sistema en pruebas en las instalaciones de Huawei en Dongguan. Un equipo de investigación de Innovación Provincial de Harbin ha desarrollado una técnica de plasma de descarga eléctrica que puede producir luz ultravioleta extrema (EUV) con una longitud de onda de 13,5 nm, satisfaciendo así la demanda del mercado.

Se dice que la imagen filtrada es de una máquina EUV china preparándose para las pruebas.

El proceso consiste en vaporizar estaño entre electrodos y convertirlo en plasma mediante una descarga de alto voltaje, donde las colisiones electrón-ion crean la longitud de onda requerida. En comparación con la tecnología LPP de ASML, se afirma que la tecnología LDP tiene un diseño más simple y compacto, consume menos energía y tiene menores costos de fabricación.

Antes de que comenzaran estas pruebas, SMIC y China aún utilizaban máquinas DUV más antiguas que utilizaban longitudes de onda de 248 nm y 193 nm, muy inferiores a la longitud de onda de 13,5 nm de la EUV. Debido a esta limitación, SMIC necesitaba realizar múltiples pasos de modelado para lograr nodos avanzados, lo que no solo incrementaba los costos de fabricación de obleas, sino que también prolongaba los plazos de entrega, generando costos elevados. Como resultado, los chips de 5 nm de SMIC serían un 50 % más caros que los de TSMC al producirse con la misma tecnología litográfica.

Actualmente, Huawei se limita al desarrollo de sus propios chips Kirin en el proceso de 7 nm, mientras que la compañía solo puede realizar ajustes menores para mejorar las capacidades de los nuevos SoC. Si China logra desarrollar máquinas EUV avanzadas, Huawei podría reducir la brecha con Qualcomm y Apple y aportar la tan necesaria competencia a la industria de los semiconductores.

Fuente: https://thanhnien.vn/trung-quoc-san-sang-cho-may-in-thach-ban-euv-cay-nha-la-vuon-185250310223353963.htm