طبق گزارش PhoneArena ، انتظار میرود TSMC و Samsung Foundry تولید انبوه تراشههای ۲ نانومتری را در سال ۲۰۲۵ آغاز کنند، به این معنی که تراشههای ۱.۸ نانومتری به اینتل اجازه میدهد تا در فرآیندهای تولید تراشه پیشتاز باشد. گفته میشود اینتل بین ۳۰۰ تا ۴۰۰ میلیون دلار برای هر دستگاه EUV High-NA هزینه خواهد کرد.
هر دستگاه ASML High-NA حداقل ۳۰۰ میلیون دلار قیمت دارد.
ASML در مورد این انتقال گفت: «ما در حال ارسال اولین سیستم High-NA هستیم و این موضوع را در یک پست در رسانههای اجتماعی اعلام کردیم. این سیستم طبق برنامه قبلی که اعلام شده بود، به اینتل تحویل داده خواهد شد.»
در یک سیستم High-NA، هرچه عدد NA بالاتر باشد، وضوح الگوی حک شده روی ویفر سیلیکونی بیشتر است. در حالی که دستگاههای EUV فعلی دارای دیافراگم 0.33 (معادل وضوح 13 نانومتر) هستند، یک دستگاه High-NA دارای دیافراگم 0.55 (معادل وضوح 8 نانومتر) است. با انتقال الگوی با وضوح بالاتر به ویفر، ممکن است کارخانه ریختهگری نیازی به دو بار عبور ویفر از دستگاه EUV برای افزودن ویژگیهای اضافی نداشته باشد و در زمان و هزینه صرفهجویی کند.
ماشینهای High-NA EUV عمدتاً بر کاهش اندازه ترانزیستورها و افزایش تراکم برای قرار دادن ترانزیستورهای بیشتر در داخل یک تراشه تمرکز دارند. هرچه تعداد ترانزیستورها روی یک تراشه بیشتر باشد، آن تراشه قدرتمندتر و از نظر انرژی کارآمدتر است. با ماشینهای High-NA، ترانزیستورها میتوانند ۱.۷ برابر کوچکتر شوند و تراکم ۲.۹ برابر افزایش یابد.
هر دستگاه High-NA توسط ASML در ۱۳ کانتینر بزرگ ارسال میشود.
نسخه جدید دستگاه High-NA EUV به ساخت تراشههای ۲ نانومتری و پایینتر کمک خواهد کرد. همین هفته گذشته، TSMC و Samsung Foundry نقشه راه پس از ۲ نانومتری خود را ارائه کردند. این دو شرکت قصد دارند تا سال ۲۰۲۷ نیمهرساناها را با استفاده از فرآیند ۱.۴ نانومتری توسعه دهند. انتظار میرود تولید تراشههای ۲ نانومتری در سال ۲۰۲۵ آغاز شود و چند روز پیش، TSMC به اپل اجازه داد تا نمونههای اولیه تراشههای ۲ نانومتری را ارزیابی کند.
حمل و نقل دستگاه EUV High-NA کار آسانی نبود زیرا به ۱۳ کانتینر بزرگ و ۲۵۰ جعبه تقسیم شده بود. مونتاژ دستگاه نیز بسیار دشوار بود.
لینک منبع
نظر (0)