ASML a récemment confirmé être en bonne voie pour le lancement du système de lithographie Twinscan NXE de nouvelle génération. Ce système est équipé d'une source d'alimentation EUV de 1 000 watts et peut traiter jusqu'à 330 plaquettes de semi-conducteurs par heure.
Prévue pour 2030 ou ultérieurement, cette machine offrira une puissance supérieure de plus de 50 % à celle des outils EUV les plus performants actuellement disponibles. Ces dispositifs permettront aux fabricants de puces d'accroître considérablement leur productivité et de minimiser le coût par disque semi-conducteur. Toutefois, pour concrétiser cette ambition, ASML a dû surmonter de nombreux obstacles et réaliser d'importantes avancées technologiques.
Les représentants de l'équipe technique d'ASML ont indiqué qu'atteindre une puissance d'un kilowatt est une performance remarquable. L'entreprise entrevoit même une voie de développement prometteuse vers 1 500 watts et estime qu'atteindre 2 000 watts est tout à fait envisageable à l'avenir.
Pour obtenir une source EUV de 1 000 watts d'ici dix ans, ASML a dû développer une méthode de génération de lumière entièrement nouvelle, utilisant trois impulsions laser. Cette méthode comprend une première sous-impulsion pour aplatir les gouttelettes d'étain, une seconde pour les dilater, et enfin une impulsion laser principale qui transforme ces gouttelettes en plasma afin d'émettre de la lumière EUV.
De plus, le nouveau système sera équipé d'un générateur de gouttelettes d'étain de pointe, doublant ainsi la capacité de production à 100 000 gouttelettes d'étain par seconde.
Cependant, l'augmentation du nombre de gouttelettes d'étain entraîne l'éjection d'une plus grande quantité de débris. Par conséquent, le système nécessite un collecteur de débris entièrement nouveau afin de garantir la propreté absolue de la surface du disque semi-conducteur.
De plus, générer 1 000 watts de rayonnement est difficile, mais transmettre cette énergie au disque semi-conducteur l’est encore plus. C’est pourquoi ASML a inventé un système de lentilles optiques à haute transmission entièrement nouveau, conçu pour porter les capacités de traitement à plus de 450 disques semi-conducteurs par heure.
Une puissance lumineuse plus élevée nécessite également une mise à niveau complète des systèmes de montage et de déplacement des plaquettes de semi-conducteurs.
Cette source lumineuse puissante exige des matériaux chimiques de photorésine et des films protecteurs de nouvelle génération. Par conséquent, non seulement ASML, mais l'ensemble de l'écosystème de l'industrie de la fabrication de puces doit se préparer à l'arrivée de ces nouveaux outils.
ASML prévoit d'intégrer une source lumineuse de 1 000 watts à sa feuille de route produit. Le lancement de la prochaine génération de machines de lithographie est prévu entre 2027 et 2029.
Source : https://baophapluat.vn/cong-nghe-giup-tang-50-san-luong-chip.html
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