A Samsung Electronics összefogott Japánnal a félvezetőgyártás bővítése érdekében.

Ez egy szimbolikus kezdeményezés Japán és Dél-Korea közötti együttműködés előmozdítására ebben az iparágban.

Ennek megfelelően az új létesítmény több mint 30 milliárd jenbe (222 millió USD) fog kerülni, és várhatóan Jokohamában, Tokiótól délnyugatra épül majd fel, ahol a Samsung Kutatási és Fejlesztési Intézet Japán jelenlegi központja is található.

A Samsung úgy véli, hogy szorosabban kell együttműködnie a japán anyag- és berendezésgyártókkal, hogy áttörést érjen el a félvezetőgyártási folyamatban.

A Samsung a világ legnagyobb memóriachip-gyártója, míg Japán a félvezetők alapanyagainak, például a wafereknek és az öntödei berendezéseknek a vezető gyártója.

Az új létesítmény várhatóan 2025-re kezdi meg működését. A Samsung a japán kormány által a félvezető szektornak nyújtott, összesen több mint 10 milliárd jenes támogatásokat kívánja kihasználni.

Dél-Korea legértékesebb vállalatának lépése fokozhatja az együttműködést a két ország félvezetőipara között.

A befektetés Szöul és Tokió új partnerségét követi, amelyet Jun-sukjol dél-koreai elnök és Fumio Kisida japán miniszterelnök vezet, és akik várhatóan a jövő héten Hirosimában megrendezésre kerülő G7-csúcstalálkozó alkalmából találkoznak.

A Samsung legfőbb riválisa, a TSMC szintén jelentős beruházást hajtott végre Japánban 2021-ben, diverzifikálva gyártóbázisát, mivel aggodalmak merültek fel a chipgyártás tajvani túlzott koncentrációja miatt. A TSMC emellett kutatási és fejlesztési létesítményt is fenntart Cukubában, Tokiótól északkeletre.

Japán, amely egykor globális vezető szerepet töltött be a memóriachipek gyártásában, külföldi befektetések vonzásával próbálja újjáépíteni gyártóbázisát. A TSMC és a Micron Technology jelentős külföldi befektetők Japánban, és kormányzati támogatásokban is részesültek.

A Samsung új létesítménye a félvezetőgyártási folyamat hátoldalára fog összpontosítani, konkrétan az áramköri lapokkal integrált waferek végtermékekké történő csomagolására.

A kutatás-fejlesztés hagyományosan a gyártási folyamat korai szakaszaira összpontosított, azzal a céllal, hogy az áramköröket a lehető legnagyobb mértékben zsugorítsák. Sokan azonban úgy vélik, hogy a további miniatürizálásnak vannak határai, és a hangsúly a háttérfolyamatok fejlesztésére fog áttevődni, például a félvezető ostyák több rétegbe való egymásra rakására 3D-s chipek létrehozása érdekében.

(A NikkeiAsia szerint)

Forrás: https://vietnamnet.vn/samsung-electronics-bat-tay-nhat-ban-mo-rong-san-xuat-ban-dan-2142943.html