Samsung przyspiesza rozwój sztucznej inteligencji dzięki nowemu układowi pamięci.

Logo Samsung Electronics w siedzibie firmy w Suwon w Korei Południowej, 22 maja 2026 r. (Zdjęcie: AP)

Firma Samsung Electronics ogłosiła 29 maja, że rozpoczęła wysyłkę próbek swojego najnowszego układu pamięci HBM4E do klientów, mając na celu wzmocnienie swojej pozycji w dziedzinie komponentów dla sztucznej inteligencji (AI).

HBM to skrót od High-Bandwidth Memory, czyli pamięci o dużej przepustowości, czyli rodzaju układu pamięci zdolnego do przesyłania bardzo dużych ilości danych w krótkim czasie. Jest to kluczowy element serwerów wykorzystywanych do szkolenia i obsługi sztucznej inteligencji (AI), ponieważ systemy te muszą nieustannie przetwarzać ogromne ilości danych.

Według Samsunga, nowy model HBM4E ma 12 warstw ułożonych warstwowo układów pamięci i jest o 20% szybszy niż poprzednia seria HBM4 firmy. Ta wielowarstwowa konstrukcja zwiększa możliwości przechowywania i przesyłania danych na niewielkiej przestrzeni, podobnie jak dodanie kolejnych pięter do budynku zamiast powiększenia jego powierzchni użytkowej.

Samsung twierdzi, że nowy produkt wykorzystuje technologię pamięci DRAM szóstej generacji. DRAM to rodzaj pamięci tymczasowej, która umożliwia urządzeniom szybki dostęp do danych podczas pracy. Układ scalony wykorzystuje również układ logiczny wyprodukowany w 4-nanometrowym procesie technologicznym Samsunga. Nanometry to bardzo małe jednostki opisujące poziom zaawansowania technologii wytwarzania układów scalonych; mniejsze liczby zazwyczaj wskazują na bardziej zaawansowane możliwości produkcyjne.

Ten ruch jest odpowiedzią na dążenie Samsunga do odzyskania dynamiki na rynku układów pamięci AI, po tym jak firma ustąpiła miejsca SK Hynix i Micron w dostarczaniu zaawansowanych układów pamięci, szczególnie dla firmy Nvidia. Dostawa próbek HBM4E została ogłoszona zaledwie trzy miesiące po tym, jak Samsung rozpoczął w lutym sprzedaż układów HBM4 klientom.

Samsung poinformował, że wśród jego klientów znajdują się firmy AMD, Nvidia i Google, a popyt na układy pamięci wykorzystywane w serwerach AI utrzymuje się na wysokim poziomie.

Akcje Samsung Electronics wzrosły krótko o 6,5% podczas porannego handlu 29 maja, przewyższając 2,3% wzrost KOSPI, głównego indeksu giełdy południowokoreańskiej. Akcje SK Hynix również wzrosły o 1,2% w trakcie tej samej sesji.

Według Counterpoint Research, w czwartym kwartale 2025 r. firma SK Hynix była liderem na światowym rynku układów pamięci o dużej przepustowości, mając 57% udziału w rynku, za nią uplasowali się Samsung z 22% udziałem i Micron z 21%.

Źródło: https://vtv.vn/samsung-tang-toc-with-new-memory-chip-for-artificial-intelligence-100260529153141306.htm