الصين تنجح في تصنيع أسرع ذاكرة أشباه موصلات في العالم

نجح باحثون صينيون في تطوير ذاكرة فلاش باستخدام الجرافين ديراك ثنائي الأبعاد بآلية جديدة تماما، ما يكسر حد السرعة لتخزين المعلومات والوصول إليها بالذاكرة الكهربائية الساكنة.

نجح فريق بحثي صيني في ابتكار جهاز ذاكرة فلاشية مبتكر يسمى PoX، قادر على تخزين البيانات بسرعة 1 بت في 400 بيكو ثانية.

إنه أسرع جهاز تخزين أشباه الموصلات تم الإعلان عنه على الإطلاق.

تتفوق ذاكرة الجهاز غير المتطايرة على أسرع تقنيات الذاكرة المتطايرة الحالية، والتي تستغرق ما بين 1 و10 نانوثانية لتخزين بتة من البيانات. البيكو ثانية هي جزء من ألف نانوثانية، أو جزء من تريليون من الثانية.

تفقد أنواع الذاكرة المتطايرة مثل SRAM أو DRAM البيانات عند انقطاع الطاقة، مما يجعلها غير مناسبة للأنظمة ذات الطاقة المنخفضة.

في المقابل، فإن أنواع الذاكرة غير المتطايرة مثل الفلاش (نوع من الذاكرة لا يتطلب مصدر طاقة للحفاظ على البيانات بسرعات قراءة/كتابة سريعة)، على الرغم من كفاءتها في استخدام الطاقة، إلا أنها لا تلبي متطلبات الوصول عالية السرعة للذكاء الاصطناعي.

طوّر باحثون في جامعة فودان ذاكرة فلاش باستخدام جرافين ديراك ثنائي الأبعاد بآلية جديدة كليًا، متجاوزين بذلك حدود سرعة تخزين المعلومات والوصول إليها في الذاكرة الكهربائية الساكنة. نُشرت نتائج البحث في مجلة نيتشر في 16 أبريل.

وبحسب خبراء المجلة، يعد هذا مشروع بحثي جديد ومبتكر بالكامل، ويكفي لتشكيل المستقبل المحتمل لجيل ذاكرة الفلاش عالية السرعة.

قال تشو بينج، رئيس فريق البحث بجامعة فودان، إنه باستخدام خوارزميات الذكاء الاصطناعي لتحسين الظروف التجريبية للعملية، تمكن الفريق من تطوير تقنية رائدة وفتح آفاق التطبيقات المستقبلية.

(وكالة أنباء فيتنام/فيتنام+)

المصدر: https://www.vietnamplus.vn/trung-quoc-che-tao-thanh-cong-bo-nho-ban-dan-nhanh-nhat-the-gioi-post1033465.vnp