نجح فريق بحثي بقيادة البروفيسور بنغ هايلين وتشيو تشنغوانغ من جامعة بكين في تطوير ترانزستور GAAFET ثنائي الأبعاد (2D)، والذي يُعد أول ترانزستور منخفض الطاقة في العالم . نُشرت نتائج بحثهم في مجلة Nature ، ووصفه العديد من أعضاء الفريق بأنه "إنجاز هائل".
تحاول الصين الهروب من آثار العقوبات الأميركية.
وفقًا للإعلان، صنع الفريق ترانزستورًا ثنائي الأبعاد أحادي البلورة متعدد الطبقات، على نطاق الرقاقة. وصرح البروفيسور بينغ: "هذا أسرع ترانزستور وأكثرها كفاءة على الإطلاق". كما شبّه تطوير الترانزستورات القائمة على مواد ثنائية الأبعاد بـ"مسارات التبديل"، في حين أن التحسينات القائمة على المواد الحالية ليست سوى "طرق مختصرة".
تم اختبار ترانزستورات GAAFET التي طورها الفريق على منتجات من شركات كبرى مثل Intel وTSMC وSamsung، وأظهرت النتائج أداءً متفوقًا في ظروف تشغيل مماثلة. تُعد ترانزستورات GAAFET، أو ترانزستورات تأثير المجال الشاملة للبوابات، الخطوة التطورية التالية في تكنولوجيا الترانزستورات، بعد ترانزستورات MOSFET وFINFET. وينبع هذا الابتكار بشكل أساسي من القدرة على التحكم بشكل أفضل في واجهات المصدر والبوابة.
الأسلحة تساعد الصين على إنتاج أشباه موصلات خاصة
أبرز ما يميز أبحاث جامعة بكين هو استخدام أكسيد سيلينيد البزموت (Bi₂O₂Se)، وهي مادة شبه موصلة ثنائية الأبعاد أكثر مرونة وقوة من السيليكون على نطاق ضيق. لا يقتصر التحول من السيليكون إلى البزموت على تعزيز صناعة أشباه الموصلات فحسب، بل يعزز أيضًا قدرة الصين التنافسية في هذا المجال، لا سيما في ظل الحرب التجارية الدائرة بين الولايات المتحدة والصين.
الصين تنشئ صندوقا بقيمة 47.5 مليار دولار لتعزيز صناعة أشباه الموصلات
تستثمر الصين بكثافة في البحث التكنولوجي للتغلب على قيودها الحالية، ليس فقط لمواكبة التطور، بل لريادة صناعة أشباه الموصلات. ورغم أن ترانزستورات GAAFET ثنائية الأبعاد قد لا تكون المستقبل الوحيد لتصنيع أشباه الموصلات، إلا أن البحث يُظهر ابتكارات جيل الشباب الصيني وإمكاناته لدفع عجلة صناعة التكنولوجيا إلى الأمام. ومع استمرار الولايات المتحدة في فرض قيود تجارية، تُسابق صناعة التكنولوجيا الصينية الزمن لتأكيد مكانتها.
[إعلان 2]
المصدر: https://thanhnien.vn/trung-quoc-tao-chat-ban-dan-nhanh-nhat-the-gioi-theo-cach-la-thuong-18525031510065426.htm
تعليق (0)