{"article":{"id":"2221344","title":"סין מצמצמת את הפער עם דרום קוריאה וארה"ב בתחום שבבי הזיכרון הניידים","description":"חברת מוליכים למחצה סינית מובילה ייצרה בהצלחה דור חדש של שבבי זיכרון ניידים מתקדמים בפעם הראשונה, צעד משמעותי בצמצום הפער עם יריבותיה מדרום קוריאה וארה"ב.","contentObject":"
חברת ChangXin Memory Technologies (CXMT) הודיעה כי ייצרה בהצלחה את שבב הזיכרון DRAM המתקדם הראשון בסין בעל קצב נתונים כפול (LPDDR5), בדומה לדור שבבי הזיכרון שהשיקה סמסונג אלקטרוניקה בשנת 2018.
\nפריצת הדרך מגיעה כאשר ארה"ב מהדקת את יצוא הטכנולוגיה העילית כדי לעכב את התפתחותה של בייג'ינג בתחום המוליכים למחצה.
\nעד כה נחסמה גישה של סין למערכות ליתוגרפיה מתקדמות מרכזיות מ-ASML, כמו גם מכמה ספקים מיפן.
\nלפי CXMT שבסיסה בחפיי, אחד ממוצריהם, גרסת 12 ג'יגה-בייט (GB), נמצא בשימוש על ידי חברות סמארטפונים סיניות כמו שיאומי ו-Transsion.
\nהחברה טוענת כי שבב הזיכרון החדש מציע שיפור של 50 אחוז במהירות העברת הנתונים ובקיבולת בהשוואה ל-DDR4X הקודם בעל צריכת החשמל הנמוכה, תוך הפחתת צריכת החשמל ב-30 אחוז.
\nבעבר, ענקית הטכנולוגיה Huawei Technologies הפתיעה את העולם עם דגם הסמארטפון Mate 60 Pro שלה, המצויד בשבבים מתקדמים המיוצרים מקומית.
\nדוחות ניתוח של צד שלישי מסיקים כי השבב עשוי להיות מיוצר על ידי בית היציקה המוביל של שבבים בסין, SMIC.
\nהשבוע, חברת Loongson המתמחה בפיתוח שבבי עיבוד מרכזי, הכריזה גם על שבב 3A6000 עם עוצמה השווה ערך למעבדי אינטל של 2020.
\nCXMT, שנוסדה בשנת 2016, מייצגת את התקווה הטובה ביותר של סין להדביק את הפער עם ענקיות שבבי הזיכרון הדרום קוריאניות כמו סמסונג אלקטרוניקה ו-SK Hynix, כמו גם עם מיקרון טכנולוג'י בשוק ה-DRAM העולמי.
\nסמסונג הציגה את שבב ה-LPDDR5 הראשון בתעשייה בנפח 8GB בשנת 2018 ועדכנה אותו לשבב LPDDR5X בנפח 16GB מבוסס 14nm בשנת 2021, המספק מהירויות עיבוד נתונים של עד 8,500 מגה-ביט לשנייה, פי 1.3 מהר יותר מהדור הקודם.
\nSK Hynix החלה בייצור המוני של זיכרון DRAM נייד מדגם LPDDR5 במרץ 2021, בעוד ש- Micron הכריזה על שבבי LPDDR5 בתחילת 2020, שלטענתה ישמשו בסמארטפון Mi 10 של שיאומי.
\nעל פי התקנות האמריקאיות החדשות שעודכנו באוקטובר, סדרה של ציוד מפתח ליציקת שבבים, כולל ליתוגרפיה, איכול, שיקוע, השתלה וניקוי, נמצאים כולם ברשימת הגבלות היצוא, במטרה להגביל את כושר הייצור של מוליכים למחצה בבייג'ינג לרמה הנמוכה ביותר, סביב 14 ננומטר עבור שבבי לוגיקה, 18 ננומטר חצי פסיעה עבור DRAM ומטה ו-128 שכבות עבור שבבי זיכרון NAND תלת-ממדיים.
\n(על פי SCMP)
\nחברה סינית מייצרת באופן בלתי צפוי את שבבי הזיכרון המודרניים ביותר בעולם
\nיצרנית שבבי זיכרון קוריאנית חוקרת את מקור רכיבי הטלפון Mate 60 Pro
\nענקית שבבי הזיכרון הדרום קוריאנית מדווחת על הפסד שיא
\nMột công ty bán dẫn hàng đầu của Trung Quốc lần đầu tiên sản xuất thành công chip nhớ di động tiên tiến thế hệ mới, bước tiến quan trọng trong việc thu hẹp khoảng cách với các đối thủ Hàn Quốc và Mỹ.
ChangXin Memory Technologies (CXMT) cho biết đã sản xuất thành công chip nhớ DRAM tốc độ dữ liệu kép (LPDDR5) tiên tiến đầu tiên của Trung Quốc, tương tự như thế hệ chip nhớ mà Samsung Electronics ra mắt năm 2018.
Bước đột phá đạt được trong bối cảnh Mỹ siết chặt xuất khẩu công nghệ cao nhằm cản trợ sự phát triển của Bắc Kinh trong lĩnh vực bán dẫn.
Đến nay, Trung Quốc đã bị chặn tiếp cận các hệ thống in thạch bản cao cấp quan trọng từ công ty ASML, cũng như một số nhà cung cấp từ Nhật Bản.
Theo CXMT có trụ sở tại Hợp Phì, một trong những sản phẩm của họ, phiên bản 12 gigabyte (GB), đang được sử dụng bởi các công ty smartphone Trung Quốc như Xiaomi và Transsion.
Công ty cho biết chip bộ nhớ mới mang lại sự cải thiện 50% về tốc độ và dung lượng truyền dữ liệu so với DDR4X tiêu thụ điện năng thấp trước đó, đồng thời giảm 30% mức tiêu thụ điện năng.
Trước đó, gã khổng lồ công nghệ đại lục, Huawei Technologies khiến cả thể giới bất ngờ với model smartphone Mate 60 Pro được trang bị chip tiên tiến sản xuất trong nước.
Các báo cáo phân tích của bên thứ ba kết luận rằng con chip này có thể được sản xuất bởi nhà máy đúc chip hàng đầu của Trung Quốc là SMIC.
Trong tuần này, Loongson, công ty chuyên phát triển chip xử lý trung tâm, cũng công bố chip 3A6000 có sức mạnh tương đương CPU Intel của năm 2020.
Được thành lập vào năm 2016, CXMT đại diện cho hy vọng lớn nhất của Trung Quốc trong việc bắt kịp các gã khổng lồ chip nhớ Hàn Quốc như Samsung Electronics và SK Hynix, cũng như Micron Technology trên thị trường DRAM toàn cầu.
Samsung trình làng chip LPDDR5 8GB đầu tiên trong ngành vào năm 2018 và cập nhật lên chip LPDDR5X 16GB dựa trên tiến trình 14 nm vào năm 2021, mang lại tốc độ xử lý dữ liệu lên tới 8.500 megabit/giây, nhanh gấp hơn 1,3 lần thế hệ trước.
SK Hynix bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM di động LPDDR5 vào tháng 3 năm 2021, trong khi Micron công bố chip LPDDR5 vào đầu năm 2020, hãng cho biết sẽ sử dụng chip này trong điện thoại thông minh Mi 10 của Xiaomi.
Theo quy định mới Mỹ vừa cập nhật vào tháng 10, một loạt thiết bị đúc chip quan trọng bao gồm in thạch bản, khắc, lắng đọng, cấy ghép và làm sạch đều nằm trong danh sách hạn chế xuất khẩu, nhằm giới hạn năng lực sản xuất bán dẫn Bắc Kinh ở mức thấp nhất, khoảng 14nm đối với chip logic, 18nm half-pitch với DRAM hoặc nhỏ hơn và 128 lớp với chip nhớ 3D NAND.
(Theo SCMP)
Công ty Trung Quốc bất ngờ sản xuất chip nhớ hiện đại nhất thế giới
Theo hãng phân tích TechInsights, Yangtze Memory Technologies (YMTC) – công ty memory chip hàng đầu Trung Quốc – đã sản xuất thành công chip nhớ 3D NAND 'tiên tiến nhất thế giới'.
Hãng chip nhớ Hàn Quốc điều tra nguồn gốc linh kiện điện thoại Mate 60 Pro
Nhà sản xuất SK Hynix (Hàn Quốc) bất ngờ với thông tin chip nhớ của hãng được sử dụng trong mẫu smartphone Mate 60 Pro mới nhất của Tập đoàn Huawei (Trung Quốc).
Gã khổng lồ chip nhớ Hàn Quốc báo lỗ kỷ lục
Gã khổng lồ chip nhớ Hàn Quốc SK Hynix vừa công bố kết quả kinh doanh quý mới nhất lỗ 3,4 nghìn tỷ Won (tương đương 2,54 tỷ USD).
[מודעה_2]
מָקוֹר






תגובה (0)