ファーウェイは半導体業界で画期的な進歩を遂げた。

ファーウェイがチップ開発・生産における新たな方向性を発表。写真：ブルームバーグ

ファーウェイは先日、高度なEUVリソグラフィ装置から離れ、半導体チップ開発において全く新しい方向性を発表した。

5月25日の記者会見で、科学委員会の委員長であり、ファーウェイの半導体部門責任者でもある何廷波氏は、ファーウェイが「半導体と電子システムの両方の進化を導く」と説明する新しい原理であるタウ比法則（τ）を発表した。

この原理に基づき、ファーウェイは同時にLogicFoldingアーキテクチャを発表した。これは、信号伝送時の抵抗と容量を低減することで、リソグラフィ装置の改良なしにトランジスタ密度を向上させる技術である。同社は、2031年までに1.4nmプロセスと同等のトランジスタ密度を実現することを目指している。

これは、TSMCとサムスンが最新世代のEUV露光装置に巨額の投資を行い、追求しているロードマップに匹敵する、今日世界で最も先進的な技術の一つである。

ファーウェイの声明における重要な点は、何氏が同社の新たな方向性において、リソグラフィー技術の向上は「もはや不可欠ではない」と断言したことだ。これは、中国の半導体産業における最大のボトルネックを狙った直接的なシグナルである。

米国の制裁措置により、中国企業は現在、オランダの独占メーカーであるASMLからEUV露光装置を購入することが禁じられている。理論上、従来の方法では3nm以下のチップを製造することはできない。LogicFoldingアーキテクチャが宣伝どおりに機能すれば、ファーウェイはこの障壁を回避しようとしていることになる。

ファーウェイがチップ製造プロセスで人々を驚かせたのは今回が初めてではない。2023年には、7nmプロセスで製造されたKirin 9000Sチップを搭載したMate 60 Proを発表し、制裁下では中国がこれを実現できないと考えていた多くの欧米専門家を驚かせた。

しかし、公表された仕様と量産の現実との間のギャップは依然として大きな課題である。理論上1.4nm相当のトランジスタ密度を実現することと、許容可能なエラー率で量産することは全く別の問題だ。これは、TSMCやサムスンでさえ、新世代の技術開発ごとに解決に何年も費やしてきた課題である。

とはいえ、ファーウェイの声明は注目すべきシグナルだ。それは、中国が禁輸措置の解除を待つのではなく、半導体開発において自らの道を積極的に模索していることを示している。

出典：https://znews.vn/huawei-thach-thuc-linh-vuc-chip-post1654119.html