ASML heeft onlangs bevestigd dat de lancering van de volgende generatie Twinscan NXE-lithografiesysteem op schema ligt. Dit systeem is uitgerust met een EUV-stroombron van 1000 watt en kan tot 330 halfgeleiderwafers per uur verwerken.
Deze machine, die naar verwachting in 2030 of later op de markt komt, zal meer dan 50% meer vermogen bieden dan de meest geavanceerde EUV-tools die momenteel beschikbaar zijn. Deze apparaten zullen chipfabrikanten helpen de productiviteit aanzienlijk te verhogen en de kosten per halfgeleiderschijf te minimaliseren. Om deze ambitie te realiseren, heeft ASML echter een reeks uitdagingen moeten overwinnen en aanzienlijke technologische vooruitgang moeten boeken.
Vertegenwoordigers van het technologieteam van ASML gaven aan dat het behalen van een vermogen van één kilowatt een ongelooflijk indrukwekkende prestatie is. Het bedrijf ziet zelfs een duidelijke ontwikkelingsroute naar 1.500 watt en gelooft dat het bereiken van 2.000 watt in de toekomst zeker mogelijk is.
Om binnen het volgende decennium een EUV-bron van 1000 watt te realiseren, moest ASML een volledig nieuwe methode voor lichtopwekking ontwikkelen met behulp van drie laserpulsen. Deze methode omvat een eerste subpuls om de tindruppels plat te maken, een tweede subpuls om ze uit te zetten, en ten slotte een hoofdlaserpuls die deze tindruppels omzet in een plasmatoestand om EUV-licht uit te zenden.
Bovendien zal het nieuwe systeem worden uitgerust met een geavanceerde tin-druppelgenerator, waardoor de operationele capaciteit wordt verdubbeld tot 100.000 tin-druppels per seconde.
Het verhogen van het aantal tindruppels betekent echter dat er meer deeltjes vrijkomen. Daarom heeft het systeem een volledig nieuwe deeltjesafscheider nodig om ervoor te zorgen dat het oppervlak van de halfgeleiderschijf absoluut schoon blijft.
Het opwekken van 1000 watt aan straling is al lastig, maar het overbrengen van die energie naar de halfgeleiderschijf is nog veel uitdagender. Daarom heeft ASML een compleet nieuw optisch lenssysteem met hoge transmissie ontwikkeld, ontworpen om de verwerkingscapaciteit op te schalen naar meer dan 450 halfgeleiderschijven per uur.
Een hogere lichtopbrengst vereist ook een algehele verbetering van de montage- en bewegingssystemen voor de halfgeleiderwafels.
Deze krachtige lichtbron vereist fotogevoelige chemische materialen en beschermfolies van de volgende generatie. Dit betekent dat niet alleen ASML, maar het gehele ecosysteem van de chipindustrie voorbereid moet zijn op de komst van deze nieuwe technologieën.
ASML heeft momenteel gedetailleerde plannen om een lichtbron van 1000 watt in haar productroadmap te integreren. De volgende generatie lithografiemachines zal naar verwachting gefaseerd worden gelanceerd tussen 2027 en 2029.
Bron: https://baophapluat.vn/cong-nghe-giup-tang-50-san-luong-chip.html






Reactie (0)