سامسونج تبدأ الإنتاج الضخم لذاكرة DDR5 DRAM بتقنية 12 نانومتر

وفقًا لموقع Devdiscourse ، ستُركز ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية الجديدة من سامسونج على تطبيقات الذكاء الاصطناعي ذات الأداء العالي. وأوضحت سامسونج أن أحدث ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية DDR5 بتقنية 12 نانومتر تُقدم مزايا كبيرة مقارنةً بالجيل السابق، مثل تقليل استهلاك الطاقة بنسبة تصل إلى 23% وزيادة إنتاجية الرقاقة بنسبة تصل إلى 20%، مما يجعلها الخيار الأمثل لشركات تكنولوجيا المعلومات العالمية التي تسعى إلى تقليل استهلاك الطاقة وانبعاثات الكربون في خوادمها ومراكز بياناتها.

تَعِد ذاكرة DDR5 DRAM بتقنية 12nm بتقديم فوائد رائعة

يُتاح تطوير تقنية 12 نانومترًا بفضل استخدام مواد جديدة تزيد من سعة الخلية، مما يُحدث فرقًا كبيرًا في الجهد الكهربائي لإشارات البيانات، ويُسهّل تمييزها بدقة. إضافةً إلى ذلك، تُوفر جهود الشركة لتقليل الضوضاء وجهد التشغيل حلاً مثاليًا لعملاء الخوادم.

وقال نائب الرئيس التنفيذي لمنتجات DRAM في شركة سامسونج، جويونج لي، إن DRAM الجديدة تعكس التزام الشركة المستمر بقيادة سوق DRAM، ليس فقط من خلال المنتجات عالية الأداء وعالية السعة التي تلبي احتياجات سوق الحوسبة للمعالجة على نطاق واسع، ولكن أيضًا من خلال تسويق حلول الجيل التالي التي تدعم إنتاجية أعلى.

توفر سلسلة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية DDR5 بتقنية 12 نانومتر من سامسونج سرعة قصوى مذهلة تبلغ 7.2 جيجابت في الثانية، مما يسمح بمعالجة فيلم UHD بحجم 30 جيجابايت في ثانية واحدة فقط. هذه السرعة الاستثنائية تجعلها مناسبة لمجموعة واسعة من التطبيقات، بما في ذلك مراكز البيانات والذكاء الاصطناعي والحوسبة من الجيل التالي.

رابط المصدر: https://thanhnien.vn/samsung-bat-dau-san-xuat-hang-loat-dram-ddr5-12nm-185230518144342623.htm