Samsung inicia la producción en masa de memoria DRAM DDR5 de 12 nm

Según Devdiscourse , la nueva DRAM de la compañía estará orientada a aplicaciones de inteligencia artificial con mayor rendimiento. Samsung afirma que su última DRAM DDR5 de 12 nm ofrece ventajas significativas sobre la generación anterior, incluida una reducción de hasta un 23% en el consumo de energía y un aumento de hasta un 20% en el rendimiento de las obleas, lo que la convierte en la opción perfecta para las empresas de TI globales que buscan reducir el uso de energía y la huella de carbono de sus servidores y centros de datos.

La DRAM DDR5 de 12 nm promete ofrecer beneficios excepcionales

El desarrollo de la tecnología de 12 nm es posible gracias al uso de nuevos materiales que aumentan la capacitancia de las celdas, lo que genera diferencias de voltaje significativas en las señales de datos y facilita su distinción con precisión. Además, los esfuerzos de la empresa por reducir el ruido y el voltaje operativo brindan a los clientes de servidores una solución ideal.

Jooyoung Lee, vicepresidente ejecutivo de productos DRAM de Samsung, dijo que la nueva DRAM refleja el compromiso continuo de la compañía de liderar el mercado de DRAM, no solo con productos de alto rendimiento y alta capacidad que satisfacen las necesidades del mercado informático para el procesamiento a gran escala, sino también comercializando soluciones de próxima generación que admiten mayores rendimientos.

La línea DRAM DDR5 de 12 nm de Samsung ofrece una impresionante velocidad máxima de 7,2 Gbps, lo que permite procesar una película UHD de 30 GB en aproximadamente 1 segundo. Esta velocidad excepcional lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones, incluidos centros de datos, inteligencia artificial y computación de próxima generación.

Enlace de origen: https://thanhnien.vn/samsung-bat-dau-san-xuat-hang-loat-dram-ddr5-12nm-185230518144342623.htm