Samsung inicia la producción en masa de DRAM DDR5 de 12 nm

Según Devdiscourse , la nueva DRAM de la compañía se centrará en aplicaciones de inteligencia artificial con mayor rendimiento. Samsung afirmó que su nueva DRAM DDR5 de 12 nm ofrece ventajas significativas con respecto a la generación anterior, como una reducción del consumo de energía de hasta un 23 % y un aumento del rendimiento de las obleas de hasta un 20 %, lo que la convierte en la opción ideal para empresas globales de TI que buscan minimizar el consumo de energía y reducir las emisiones de carbono de sus servidores y centros de datos.

La DRAM DDR5 de 12 nm promete ofrecer beneficios excepcionales

El desarrollo de la tecnología de 12 nm es posible gracias al uso de nuevos materiales que aumentan la capacitancia de las celdas, lo que genera diferencias de voltaje significativas en las señales de datos y facilita su distinción precisa. Además, los esfuerzos de la compañía por reducir el ruido y el voltaje de operación ofrecen una solución ideal para los clientes de servidores.

Jooyoung Lee, vicepresidente ejecutivo de productos DRAM de Samsung, dijo que la nueva DRAM refleja el compromiso continuo de la compañía de liderar el mercado de DRAM, no solo con productos de alto rendimiento y alta capacidad que satisfacen las necesidades del mercado informático para el procesamiento a gran escala, sino también comercializando soluciones de próxima generación que admiten mayores rendimientos.

La línea de DRAM DDR5 de 12 nm de Samsung ofrece una impresionante velocidad máxima de 7,2 Gbps, lo que permite procesar una película UHD de 30 GB en tan solo un segundo. Esta excepcional velocidad la hace ideal para una amplia gama de aplicaciones, como centros de datos, inteligencia artificial y computación de última generación.

Enlace de origen: https://thanhnien.vn/samsung-bat-dau-san-xuat-hang-loat-dram-ddr5-12nm-185230518144342623.htm