{"article":{"id":"2221344","title":"China schließt Abstand zu Südkorea und den USA bei mobilen Speicherchips","description":"Ein führendes chinesisches Halbleiterunternehmen hat erfolgreich seinen ersten fortschrittlichen mobilen Speicherchip der nächsten Generation produziert und damit einen wichtigen Schritt zur Verringerung des Abstands zu seinen südkoreanischen und US-amerikanischen Konkurrenten gemacht.","contentObject":"
ChangXin Memory Technologies (CXMT) gab bekannt, dass es erfolgreich Chinas ersten fortschrittlichen Dual-Data-Rate-DRAM-Speicherchip (LPDDR5) produziert hat, ähnlich der Speicherchip-Generation, die Samsung Electronics 2018 auf den Markt brachte.
\nDer Durchbruch erfolgt vor dem Hintergrund der US-amerikanischen Verschärfung von Hightech-Exporten, die Pekings Entwicklung im Halbleitersektor behindern soll.
\nBislang wurde China der Zugang zu wichtigen High-End-Lithografiesystemen von ASML sowie einigen Lieferanten aus Japan verwehrt.
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Laut CXMT mit Sitz in Hefei ist eines ihrer Produkte, ein 12 Die Gigabyte (GB)-Version wird von chinesischen Smartphone-Unternehmen wie Xiaomi und Transsion verwendet.
\nDas Unternehmen gab an, dass der neue Speicherchip eine 50-prozentige Verbesserung der Datenübertragungsgeschwindigkeit und -kapazität im Vergleich zum vorherigen stromsparenden DDR4X bietet und gleichzeitig den Stromverbrauch um 30 % senkt.
\nZuvor überraschte der chinesische Tech-Riese Huawei Technologies die Welt mit seinem Smartphone-Modell Mate 60 Pro, das mit einem im Inland produzierten fortschrittlichen Chip ausgestattet war.
\nAnalyseberichte von Drittanbietern kamen zu dem Schluss, dass der Chip von Chinas führender Chipgießerei SMIC hergestellt werden könnte.
\nDiese Woche kündigte Loongson, ein auf die Entwicklung von Zentralprozessorchips spezialisiertes Unternehmen, außerdem den 3A6000-Chip an, der so leistungsstark ist wie Intels 2020-CPU.
\nCXMT wurde 2016 gegründet und stellt die größte Hoffnung dar, dass Chinas Chip-Giganten zu den südkoreanischen Speicherchip-Giganten Samsung Electronics und SK Hynix aufschließen, sowie Micron Technology auf dem globalen DRAM-Markt.
\nSamsung stellte 2018 den branchenweit ersten 8-GB-LPDDR5-Chip vor und aktualisierte ihn 2021 auf einen 14-nm-basierten 16-GB-LPDDR5X-Chip, der Datenverarbeitungsgeschwindigkeiten von bis zu 8.500 Megabit pro Sekunde bietet, 1,3-mal schneller als die vorherige Generation.
\nSK Hynix begann im März 2021 mit der Massenproduktion von LPDDR5-Mobil-DRAM, während Micron Anfang 2020 seinen LPDDR5-Chip ankündigte, der laut eigenen Angaben im Mi 10-Smartphone von Xiaomi zum Einsatz kommen soll.
\nGemäß den neuen US-Vorschriften, die im Oktober aktualisiert wurden, stehen eine Reihe wichtiger Gießereigeräte, darunter Lithografie-, Ätz-, Abscheidungs-, Implantations- und Reinigungsgeräte, auf der Exportbeschränkungsliste. Ziel dieser Verordnung ist es, die Halbleiterproduktionskapazität Pekings auf das niedrigste Niveau von etwa 14 nm für Logikchips zu beschränken. 18 nm Halbabstand für DRAM oder kleiner und 128 Schichten für 3D-NAND-Speicherchips.
\n(Laut SCMP)
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Chinesisches Unternehmen produziert unerwartet die modernsten Speicherchips der Welt
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Koreanischer Speicherchip-Hersteller untersucht Herkunft der Komponenten des Mate 60 Pro-Telefons
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Koreanischer Speicherchip-Riese meldet Rekordverlust Verlust
\nEinem führenden chinesischen Halbleiterunternehmen ist es erstmals gelungen, eine neue Generation hochentwickelter Speicherchips für Mobilgeräte herzustellen. Dies ist ein wichtiger Schritt, um den Abstand zu den Konkurrenten aus Südkorea und den USA zu verringern.
ChangXin Memory Technologies (CXMT) gab bekannt, dass es erfolgreich Chinas ersten fortschrittlichen Dual Data Rate DRAM (LPDDR5)-Speicherchip produziert habe, ähnlich der Generation von Speicherchips, die Samsung Electronics 2018 auf den Markt brachte.
Der Durchbruch erfolgt zu einem Zeitpunkt, an dem die USA ihre Hightech-Exporte einschränken, um Pekings Entwicklung im Halbleitersektor zu behindern.
China wurde bislang der Zugriff auf wichtige High-End-Lithografiesysteme von ASML sowie einigen Lieferanten aus Japan verwehrt.
Laut Angaben des in Hefei ansässigen Unternehmens CXMT wird eines seiner Produkte, eine 12-Gigabyte-Version (GB), von chinesischen Smartphone-Unternehmen wie Xiaomi und Transsion verwendet.
Das Unternehmen gibt an, dass der neue Speicherchip im Vergleich zum vorherigen DDR4X mit niedrigem Stromverbrauch eine Verbesserung der Datenübertragungsgeschwindigkeit und -kapazität um 50 Prozent bietet und gleichzeitig den Stromverbrauch um 30 Prozent senkt.
Zuvor überraschte der chinesische Technologieriese Huawei Technologies die Welt mit seinem Smartphone-Modell Mate 60 Pro, das mit hochmodernen Chips aus heimischer Produktion ausgestattet war.
Analyseberichte von Drittanbietern kommen zu dem Schluss, dass der Chip von Chinas führender Chip-Gießerei SMIC hergestellt werden könnte.
Diese Woche kündigte Loongson, ein auf die Entwicklung von CPU-Chips spezialisiertes Unternehmen, außerdem den 3A6000-Chip an, dessen Leistung der von Intel-CPUs des Jahres 2020 entspricht.
CXMT wurde 2016 gegründet und ist Chinas beste Hoffnung, auf dem globalen DRAM-Markt zu den südkoreanischen Speicherchip-Giganten wie Samsung Electronics und SK Hynix sowie Micron Technology aufzuschließen.
Samsung stellte 2018 den branchenweit ersten 8-GB-LPDDR5-Chip vor und aktualisierte ihn 2021 auf einen 16-GB-LPDDR5X-Chip auf Basis eines 14-nm-Prozesses, der Datenverarbeitungsgeschwindigkeiten von bis zu 8.500 Megabit pro Sekunde liefert und damit 1,3-mal schneller ist als die vorherige Generation.
SK Hynix begann im März 2021 mit der Massenproduktion von LPDDR5-Mobil-DRAM, während Micron Anfang 2020 LPDDR5-Chips ankündigte, die laut eigenen Angaben im Smartphone Mi 10 von Xiaomi zum Einsatz kommen würden.
Nach den im Oktober aktualisierten neuen US-Vorschriften stehen eine Reihe wichtiger Chip-Foundry-Geräte, darunter Lithografie-, Ätz-, Abscheidungs-, Implantations- und Reinigungsgeräte, auf der Liste der Exportbeschränkungen. Dadurch wird Pekings Halbleiterproduktionskapazität auf das niedrigste Niveau begrenzt: etwa 14 nm für Logikchips, 18 nm Half-Pitch für DRAM oder kleiner und 128 Schichten für 3D-NAND-Speicherchips.
(Laut SCMP)
Chinesisches Unternehmen produziert unerwartet die modernsten Speicherchips der Welt
Laut dem Analystenunternehmen TechInsights hat Yangtze Memory Technologies (YMTC) – Chinas führendes Speicherchip-Unternehmen – erfolgreich den „weltweit fortschrittlichsten“ 3D-NAND-Speicherchip hergestellt.
Koreanischer Speicherchip-Hersteller untersucht Herkunft der Mate 60 Pro-Telefonkomponenten
Der Hersteller SK Hynix (Korea) war überrascht von der Information, dass seine Speicherchips im neuesten Smartphone-Modell Mate 60 Pro der Huawei Group (China) verwendet würden.
Südkoreanischer Speicherchip-Riese meldet Rekordverlust
Der südkoreanische Speicherchip-Riese SK Hynix hat gerade seine neuesten Quartalsergebnisse bekannt gegeben und weist einen Verlust von 3,4 Billionen Won (entspricht 2,54 Milliarden US-Dollar) aus.
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