ChangXin Memory Technologies (CXMT) gab bekannt, dass es erfolgreich Chinas ersten fortschrittlichen Dual Data Rate DRAM (LPDDR5)-Speicherchip produziert habe, ähnlich der Generation von Speicherchips, die Samsung Electronics 2018 auf den Markt brachte.

Der Durchbruch erfolgt zu einem Zeitpunkt, an dem die USA ihre Hightech-Exporte einschränken, um Pekings Entwicklung im Halbleitersektor zu behindern.

China wurde bislang der Zugriff auf wichtige High-End-Lithografiesysteme von ASML sowie einigen Lieferanten aus Japan verwehrt.

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Der DRAM von CXMT gilt als ebenso leistungsstark wie das 2018 eingeführte Samsung-Produkt.

Laut Angaben des in Hefei ansässigen Unternehmens CXMT wird eines seiner Produkte, eine 12-Gigabyte-Version (GB), von chinesischen Smartphone-Unternehmen wie Xiaomi und Transsion verwendet.

Das Unternehmen gibt an, dass der neue Speicherchip im Vergleich zum vorherigen DDR4X mit niedrigem Stromverbrauch eine Verbesserung der Datenübertragungsgeschwindigkeit und -kapazität um 50 Prozent bietet und gleichzeitig den Stromverbrauch um 30 Prozent senkt.

Zuvor überraschte der chinesische Technologieriese Huawei Technologies die Welt mit seinem Smartphone-Modell Mate 60 Pro, das mit hochmodernen Chips aus heimischer Produktion ausgestattet war.

Analyseberichte von Drittanbietern kommen zu dem Schluss, dass der Chip von Chinas führender Chip-Gießerei SMIC hergestellt werden könnte.

Diese Woche kündigte Loongson, ein auf die Entwicklung von CPU-Chips spezialisiertes Unternehmen, außerdem den 3A6000-Chip an, dessen Leistung der von Intel-CPUs des Jahres 2020 entspricht.

CXMT wurde 2016 gegründet und ist Chinas beste Hoffnung, auf dem globalen DRAM-Markt zu den südkoreanischen Speicherchip-Giganten wie Samsung Electronics und SK Hynix sowie Micron Technology aufzuschließen.

Samsung stellte 2018 den branchenweit ersten 8-GB-LPDDR5-Chip vor und aktualisierte ihn 2021 auf einen 16-GB-LPDDR5X-Chip auf Basis eines 14-nm-Prozesses, der Datenverarbeitungsgeschwindigkeiten von bis zu 8.500 Megabit pro Sekunde liefert und damit 1,3-mal schneller ist als die vorherige Generation.

SK Hynix begann im März 2021 mit der Massenproduktion von LPDDR5-Mobil-DRAM, während Micron Anfang 2020 LPDDR5-Chips ankündigte, die laut eigenen Angaben im Smartphone Mi 10 von Xiaomi zum Einsatz kommen würden.

Nach den im Oktober aktualisierten neuen US-Vorschriften stehen eine Reihe wichtiger Chip-Foundry-Geräte, darunter Lithografie-, Ätz-, Abscheidungs-, Implantations- und Reinigungsgeräte, auf der Liste der Exportbeschränkungen. Dadurch wird Pekings Halbleiterproduktionskapazität auf das niedrigste Niveau begrenzt: etwa 14 nm für Logikchips, 18 nm Half-Pitch für DRAM oder kleiner und 128 Schichten für 3D-NAND-Speicherchips.

(Laut SCMP)

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