Stand HBM de SK Hynix. Foto: Shutterstock . |
Según un informe de ETNews , el iPhone 2027 (la versión del 20° aniversario de su lanzamiento) estaría desarrollando muchas innovaciones tecnológicas, especialmente chips de memoria de gran ancho de banda para teléfonos (MHBM).
Básicamente, HBM es una pila de chips de memoria con pequeños componentes que almacenan datos. Pueden almacenar más información y transferir datos más rápido que la memoria de acceso aleatorio dinámico, o DRAM.
Según PhoneArena , debido a que HBM permite chips RAM más pequeños, la tecnología podría ayudar a desarrollar modelos de iPhone más delgados o variantes con mayores capacidades de batería.
En particular, conectar Mobile HBM a la GPU en los modelos de iPhone que se espera que aparezcan en 2027 podría permitir ejecutar modelos de lenguaje grandes (LLM) directamente en el dispositivo sin consumir demasiada batería ni aumentar la latencia del teléfono.
Además, la fuente agregó que Apple puede haber discutido sus planes con importantes proveedores de memoria como Samsung Electronics y SK hynix. Ambos gigantes están desarrollando sus propias versiones de Mobile HBM.
Se dice que Samsung está utilizando el método de empaquetado VCS, mientras que SK hynix está trabajando en el método VFO. Ambos apuntan a la producción en masa en algún momento después de 2026.
Además del soporte de IA, en un artículo de Power On en Bloomberg , el analista Mark Gurman reveló que un modelo de iPhone "hecho principalmente de vidrio, curvo y con una pantalla sin muescas" podría lanzarse para fines de 2027. Según Gurman, este dispositivo marca el décimo aniversario del lanzamiento del iPhone X, el producto que inició la tendencia de los iPhones con biseles delgados.
Los usuarios también podrán disfrutar de las primeras gafas inteligentes de Apple. El dispositivo tiene una apariencia similar al Meta Ray-Ban, admite funciones inteligentes pero no es tan voluminoso como el Vision Pro.
Fuente: https://znews.vn/them-nang-cap-lon-cua-iphone-ban-ky-niem-20-nam-post1553743.html
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