چینی‌های بااستعداد به خانه بازمی‌گردند.

جیانگ جیانفنگ، دانشمند ۳۰ ساله، ایالات متحده را ترک کرده و به چین بازگشته است تا فناوری‌های جدیدی را در زمینه تراشه‌های نیمه‌هادی توسعه دهد.

این نمونه‌ای از روند بازگشت استعدادها به خانه در این کشور است.

در اوایل مارس ۲۰۲۶، دانشمند ۳۰ ساله، جیانگ جیانفنگ، موسسه فناوری ماساچوست (MIT) را ترک کرد تا یک گروه تحقیقاتی تراشه نسل بعدی را در دانشگاه پکن در چین تأسیس کند. «بازگشت به خانه» جیانگ توجه صنعت نیمه‌هادی را به خود جلب کرد، زیرا او به عنوان یک چهره امیدوارکننده در زمینه تراشه‌های نسل بعدی در نظر گرفته می‌شد.

طبق مقررات، دانشمندان فقط می‌توانند ۸ تا ۱۰ سال پس از دریافت مدرک دکترا، بر دانشجویان دکترا نظارت داشته باشند. با این حال، جیانگ تنها ۱۸ ماه از زمان دریافت مدرک دکترا در ژوئن ۲۰۲۴ در این سمت باقی ماند. جیانگ پیش از پیوستن به MIT، مدارک کارشناسی و کارشناسی ارشد خود را در دانشگاه‌های برتر چین مانند شاندونگ و پکن تحصیل کرد. او مدال چهارم ماه مه، بالاترین جایزه دانشگاهی دانشگاه پکن، را دریافت کرد.

قابل توجه‌ترین تحقیق جیانگ روی سلنید ایندیوم یا InSe، یک ماده نیمه‌هادی دوبعدی است. این به عنوان یک رویکرد بالقوه برای غلبه بر محدودیت‌های فیزیکی تراشه‌های سیلیکونی سنتی در نظر گرفته می‌شود.

برای دهه‌ها، صنعت نیمه‌هادی برای ساخت تراشه‌ها به سیلیکون متکی بوده است، اما با کوچک شدن اندازه ترانزیستورها به سه نانومتر و کمتر، محدودیت‌های فیزیکی به طور فزاینده‌ای آشکار می‌شوند. این امر حفظ نرخ بهبود حاکم بر قانون مور را دشوارتر می‌کند.

به گفته جیانگ، مواد نیمه‌هادی دوبعدی مانند InSe در سطح اتمی ضخامت دارند و اثرات کوانتومی خاصی از خود نشان می‌دهند. این ویژگی‌ها به آنها اجازه می‌دهد تا به راندمان انرژی بالاتری دست یابند و بتوانند تراشه‌های کوچک‌تر، سریع‌تر و با مصرف انرژی بهینه‌تری نسبت به فناوری فعلی ایجاد کنند.

جیانگ در تحقیقات خود اظهار داشت که دستگاه InSe دو طرفه توسعه یافته توسط تیمش، در چندین شاخص کلیدی عملکرد، از فناوری گره ۳ نانومتری اینتل پیشی گرفته و در عین حال به بهره‌وری انرژی پیشرو در جهان نیز دست یافته است.

علاوه بر این، تحقیقات قبلی جیانگ نیز توجه جامعه علمی بین‌المللی را به خود جلب کرده است. او در مقالاتی که در سال‌های 2023 و 2025 در مجله نیچر منتشر شد، نشان داد که یک دستگاه InSe می‌تواند در مقایسه با سیلیکون سنتی در یک محیط آزمایشگاهی، به راندمان انرژی بالاتری دست یابد. این نتایج، پایه و اساس تحقیقات بیشتر در مورد ادغام دستگاه‌ها در مقیاس بزرگ را بنا نهاده است.

جیانگ پس از بازگشت به چین، یک گروه تحقیقاتی جدید در دانشگاه پکن تأسیس خواهد کرد. این گروه بر روی دستگاه‌های نیمه‌هادی کم‌بعد، ساختارهای یکپارچه سه‌بعدی و معماری‌های مدار پیشرفته تمرکز خواهد کرد. این زمینه‌ها، پایه‌های حیاتی برای فناوری‌هایی مانند هوش مصنوعی، محاسبات با کارایی بالا و وسایل نقلیه خودران محسوب می‌شوند.

جیانگ گفت تصمیم بازگشت به زادگاهش یک انتخاب آنی نبوده، بلکه نتیجه بررسی بلندمدت بوده است. به گفته وی، آوردن مواد و دستگاه‌های نیمه‌هادی جدید از آزمایشگاه به کاربرد صنعتی نیازمند یک تیم تحقیقاتی پایدار و یک استراتژی بلندمدت است.

دانشگاه پکن، با دهه‌ها تجربه در الکترونیک ابعاد پایین، محیط ایده‌آلی را برای او فراهم کرد تا به طور سیستماتیک این مسیر تحقیقاتی را توسعه دهد.

جیانگ فراتر از فعالیت‌های دانشگاهی، معتقد است که کمک به نیازهای استراتژیک کشور انگیزه‌ای حیاتی است. او از استاد سابق خود، پروفسور پنگ لیانمائو، که در آکادمی علوم چین کار می‌کند، الهام گرفته است.

جیانگ جیانفنگ، متخصص تراشه‌های نیمه‌هادی، گفت: «پروفسور پنگ لیانمائو زمانی به من آموخت که وقتی کشور به قدرت نیاز دارد، باید آماده بود و وقتی زمان ایجاب می‌کند، باید قیام کرد. تحقیقات من اگر به نیازهای عملی پاسخ دهد، معنادارتر خواهد بود، نه اینکه فقط ارزش آکادمیک داشته باشد.»

طبق گزارش SCMP

منبع: https://giaoducthoidai.vn/nhan-tai-trung-quoc-hoi-huong-post770576.html