סמסונג גלקסי S26 עשוי 'לעלות על ביצועיו' של האייפון 18 עם שבב 2nm ראשון

לפי Sammy Fans , מרוץ טכנולוגיית המוליכים למחצה בסמארטפונים עומד להיכנס לפרק חדש ותחרותי עם הופעתו של תהליך ה-2nm. מקורות בתעשייה חושפים תרחיש מעניין: סמסונג גלקסי S26 עשוי להפוך לטלפון הראשון בעולם המצויד בשבב 2nm, ובכך לעקוף באופן פוטנציאלי את יריבו המרשים, אייפון 18.

האם סמסונג גלקסי S26 יכול "לעלות" על האייפון 18?

באופן מסורתי, אפל הייתה לקוחה מובילה ולעתים קרובות הראשונה לקבל גישה לתהליכי ייצור השבבים המתקדמים ביותר של TSMC. דיווחים אחרונים מצביעים על כך ש-TSMC עושה התקדמות משמעותית בתהליך ה-2 ננומטר שלה, שצפוי להגיע לקיבולת של כ-50,000 פרוסות ופלים לחודש עד סוף 2025, עם תפוקה שכבר טובה למדי.

גלקסי S26 עשוי להיות המכשיר הראשון שיכלול שבב 2nm

תמונה: צילום מסך של WCCF טכנולוגיה

מעבד ה-2 ננומטר הראשון של TSMC צפוי להיות שבב ה-A20, הצפוי לסדרת האייפון 18 פרו בשנת 2026. תהליך חדש זה מבטיח לספק ביצועים גבוהים בכ-15% מתהליך ה-3 ננומטר המשמש כיום בשבבים הנוכחיים מסדרת A.

עם זאת, נאמר כי דור האייפון 17 שצפוי לצאת בהמשך השנה עדיין ישתמש בשבבים בתצורת 3 ננומטר. זה יוצר, בלי כוונה, הזדמנות חשובה עבור סמסונג. על פי השמועות, ענקית הטכנולוגיה הקוריאנית מתמקדת בפיתוח מעבד Exynos 2600 עבור סדרת Galaxy S26 (שצפויה לצאת בתחילת 2026) המבוסס על תהליך SF2 בתצורת 2 ננומטר, שנחקר ופותח על ידי Samsung Foundry (חטיבת ייצור השבבים של סמסונג).

אם חברת Samsung Foundry תצליח להשלים את תהליך SF2 ב-2 ננומטר ולהכניס אותו לייצור המוני בזמן, ה-Galaxy S26 עשוי בהחלט להפוך לסמארטפון הראשון בעולם המצויד בשבב ב-2 ננומטר. זו תהיה "נקמה" מרשימה לאחר שסמסונג התקשתה להתחרות בתהליך הקודם ב-3 ננומטר.

המירוץ ל-2 ננומטר אינו רק בין אפל לסמסונג. אינטל הביעה גם היא עניין רב בתהליך ה-2 ננומטר של TSMC, אך סביר להניח שתצטרך להישאר מאחורי אפל מבחינת סדרי עדיפויות, וייתכן שתדחה את הייצור ההמוני לשנת 2026.

בהתפתחות קשורה, יש מידע לפיו אפל מתכננת להשקיע מאות מיליארדי דולרים בארה"ב בשנים הקרובות, כולל תמיכה במפעל של TSMC באריזונה, בתגובה למדיניות לקידום ייצור מקומי.

מקור: https://thanhnien.vn/samsung-galaxy-s26-co-the-vuot-mat-iphone-18-voi-chip-2nm-dau-tien-18525032818214272.htm