לפי מידע ששותף על ידי מדריך הדליפות Ice Universe on X, ה-Galaxy S26 Ultra יצויד בזיכרון RAM מתקדם מסוג LPDDR5X המאפשר פעולה מהירה יותר וצורך פחות חשמל בהשוואה לדור הקודם. באופן ספציפי, המוצר ישתמש בזיכרון RAM מסוג LPDDR5X במהירויות של עד 10.7 ג'יגה-ביט לשנייה.
טכנולוגיית RAM מתקדמת עוזרת לגלקסי S26 אולטרה לספק ביצועים מעולים
צילום: SAMMOBILE
זוהי המהירות המקסימלית של שבב ה-LPDDR5X 1γ (1-gamma) שהוכרז על ידי יצרנית השבבים Micron ביוני, המבטיח יעילות אנרגיה טובה יותר עד 20% בהשוואה לדור הקודם. המהירות המקסימלית והתזמונים הספציפיים מצביעים על כך שזהו השבב שיוצג ב-Galaxy S26 Ultra.
יתרונות טכנולוגיית ה-RAM החדשה עבור Galaxy S26 Ultra
בהשוואה ל-Galaxy S25 Ultra, שטרם הכריז על מהירות ה-RAM הרשמית שלו אך אושר על ידי מיקרון כי הוא משתמש ב-LPDDR5X 1β (1-beta) עם מהירות מקסימלית של 9.6 ג'יגה-ביט לשנייה, השדרוג מ-9.6 ג'יגה-ביט לשנייה ל-10.7 ג'יגה-ביט לשנייה מייצג עלייה של 11.5% ברוחב הפס. בשילוב עם עיצוב ה-1γ, הדבר אמור להביא לביצועים גבוהים יותר.
עבור משתמשים מתקדמים, זה משמעותי. רוחב פס גדול יותר פירושו שמעבד הטלפון יכול להעביר נתונים מהר יותר, לתמוך במשימות כבדות כמו הקלטת וידאו 8K, משחקים בקצב פריימים גבוה והפעלת תכונות בינה מלאכותית (AI) ישירות על המכשיר. הביצועים המשופרים יכולים גם לסייע בהפחתת ניצול הסוללה במהלך משימות אלו, במיוחד כאשר בינה מלאכותית הופכת לחלק מרכזי בחוויית הגלקסי של סמסונג.
בנוסף לשדרוג ה-RAM, נאמר כי ה-Galaxy S26 Ultra יגיע גם עם שיפורים נוספים כמו שבב Snapdragon 8 Elite 2 מתוצרת TSMC, מארז דק יותר ומסך גדול יותר עם שוליים דקים. למרות שסמסונג לא אישרה מידע כלשהו, הדלפות אלו מראות כי ה-Galaxy S26 Ultra הוא טלפון עם שדרוגי תצורה משמעותיים רבים.
מקור: https://thanhnien.vn/thong-tin-khien-galaxy-s26-ultra-la-lua-chon-dang-de-nang-cap-185250809165635632.htm
תגובה (0)