Ifølge informasjon delt av leakster Ice Universe på X, vil Galaxy S26 Ultra være utstyrt med avansert LPDDR5X RAM som gir raskere drift og bruker mindre strøm enn forrige generasjon. Mer spesifikt vil produktet bruke LPDDR5X RAM med hastigheter opptil 10,7 Gbps.
Avansert RAM-teknologi hjelper Galaxy S26 Ultra med å levere overlegen ytelse
FOTO: SAMMOBILE
Dette er den maksimale hastigheten til LPDDR5X 1γ (1-gamma) som ble annonsert av brikkeprodusenten Micron i juni, og som lover opptil 20 % bedre energieffektivitet enn forrige generasjon. Den spesifikke maksimale hastigheten og timingen antyder at dette er brikken som vil bli omtalt i Galaxy S26 Ultra.
Fordeler med ny RAM-teknologi for Galaxy S26 Ultra
Sammenlignet med Galaxy S25 Ultra, som ennå ikke har annonsert sin offisielle RAM-hastighet, men som Micron har bekreftet bruker LPDDR5X 1β (1-beta) med en maksimal hastighet på 9,6 Gbps, representerer oppgraderingen fra 9,6 Gbps til 10,7 Gbps en økning på 11,5 % i båndbredde. Kombinert med 1γ-designet bør dette resultere i høyere ytelse.
For avanserte brukere er dette betydelig. Mer båndbredde betyr at telefonens prosessor kan flytte data raskere, og støtte tunge oppgaver som 8K- videoopptak , spilling med høy bildefrekvens og kjøring av AI-funksjoner (kunstig intelligens) direkte på enheten. Den forbedrede ytelsen kan også bidra til å redusere batteriforbruket under disse oppgavene, spesielt ettersom AI blir en viktig del av Samsungs Galaxy-opplevelse.
I tillegg til RAM-oppgraderingen skal Galaxy S26 Ultra også komme med andre forbedringer, som Snapdragon 8 Elite 2-brikken produsert av TSMC, et tynnere chassis og en større skjerm med tynne rammer. Selv om Samsung ikke har bekreftet noen informasjon, viser disse lekkasjene at Galaxy S26 Ultra er en telefon med mange betydelige konfigurasjonsoppgraderinger.
Kilde: https://thanhnien.vn/thong-tin-khien-galaxy-s26-ultra-la-lua-chon-dang-de-nang-cap-185250809165635632.htm
Kommentar (0)