Samsung розпочинає масове виробництво 12-нм DDR5 DRAM

Згідно з Devdiscourse , нова DRAM-пам'ять компанії буде орієнтована на застосування штучного інтелекту з вищою продуктивністю. Samsung заявила, що найновіша 12-нм DDR5 DRAM пропонує значні переваги порівняно з попереднім поколінням, такі як зниження енергоспоживання до 23% та збільшення продуктивності пластин до 20%, що робить її ідеальним вибором для глобальних ІТ-компаній, які прагнуть мінімізувати споживання енергії та зменшити викиди вуглецю для своїх серверів та центрів обробки даних.

12-нм DDR5 DRAM обіцяє видатні переваги

Розробка 12-нм технології стала можливою завдяки використанню нових матеріалів, які збільшують ємність комірок, що призводить до значних відмінностей у напрузі сигналів даних та полегшує їх точне розрізнення. Крім того, зусилля компанії щодо зниження шуму та робочої напруги забезпечують ідеальне рішення для клієнтів серверів.

Виконавчий віце-президент Samsung з продуктів DRAM Джуйонг Лі заявив, що нова DRAM відображає постійне прагнення компанії бути лідером на ринку DRAM, не лише завдяки високопродуктивним та ємним продуктам, які відповідають потребам обчислювального ринку для великомасштабної обробки, але й шляхом комерціалізації рішень наступного покоління, які підтримують вищу продуктивність.

Лінійка 12-нм DDR5 DRAM від Samsung пропонує вражаючу пікову швидкість 7,2 Гбіт/с, що дозволяє обробити 30 ГБ фільму UHD лише за 1 секунду. Ця виняткова швидкість робить її придатною для широкого спектру застосувань, включаючи центри обробки даних, штучний інтелект та обчислення наступного покоління.

Посилання на джерело: https://thanhnien.vn/samsung-bat-dau-san-xuat-hang-loat-dram-ddr5-12nm-185230518144342623.htm