סמסונג מתחילה בייצור המוני של זיכרון DDR5 DRAM בגודל 12 ננומטר

לפי Devdiscourse , זיכרון ה-DRAM החדש של החברה יתמקד ביישומי בינה מלאכותית בעלי ביצועים גבוהים יותר. סמסונג מסרה כי זיכרון ה-DDR5 DRAM העדכני ביותר ב-12 ננומטר מציע יתרונות משמעותיים על פני הדור הקודם, כגון הפחתת צריכת החשמל של עד 23% והגדלת תפוקת פרוסות ה-wap בעד 20%, מה שהופך אותו לבחירה המושלמת עבור חברות IT גלובליות המעוניינות למזער את צריכת האנרגיה ולהפחית את פליטות הפחמן עבור השרתים ומרכזי הנתונים שלהן.

זיכרון DDR5 12nm מבטיח להביא יתרונות יוצאי דופן

פיתוח טכנולוגיית 12 ננומטר מתאפשר הודות לשימוש בחומרים חדשים המגדילים את קיבול התא, וכתוצאה מכך נוצרים הבדלי מתח משמעותיים באותות הנתונים ומקלים על ההבחנה המדויקת ביניהם. בנוסף, מאמצי החברה להפחית רעש ומתח הפעלה מספקים פתרון אידיאלי ללקוחות שרתים.

סגן נשיא בכיר למוצרי DRAM של סמסונג, ג'ויונג לי, אמר כי ה-DRAM החדש משקף את מחויבותה המתמשכת של החברה להוביל את שוק ה-DRAM, לא רק עם מוצרים בעלי ביצועים גבוהים וקיבולת גבוהה העונים על צרכי שוק המחשוב לעיבוד בקנה מידה גדול, אלא גם על ידי מסחור פתרונות מהדור הבא התומכים בתפוקה גבוהה יותר.

סדרת זיכרון ה-DDR5 DRAM של סמסונג בטווח של 12 ננומטר מציעה מהירות שיא מרשימה של 7.2 ג'יגה-ביט לשנייה, המאפשרת עיבוד סרט UHD בגודל 30 ג'יגה-בייט בשנייה אחת בלבד. מהירות יוצאת דופן זו הופכת אותה למתאימה למגוון רחב של יישומים, כולל מרכזי נתונים, בינה מלאכותית ומחשוב מהדור הבא.

קישור למקור: https://thanhnien.vn/samsung-bat-dau-san-xuat-hang-loat-dram-ddr5-12nm-185230518144342623.htm