{"article":{"id":"2221344","title":"Chiny zmniejszają dystans do Korei Południowej i USA w dziedzinie układów pamięci do urządzeń mobilnych","description":"Wiodąca chińska firma produkująca półprzewodniki po raz pierwszy z powodzeniem wyprodukowała nową generację zaawansowanych układów pamięci do urządzeń mobilnych, co stanowi ważny krok w kierunku zmniejszenia dystansu do konkurentów z Korei Południowej i USA.","contentObject":"
Firma ChangXin Memory Technologies (CXMT) poinformowała o pomyślnym wyprodukowaniu pierwszego w Chinach zaawansowanego układu pamięci DRAM o podwójnej szybkości transmisji danych (LPDDR5), podobnego do generacji układów pamięci wprowadzonych na rynek przez firmę Samsung Electronics w 2018 r.
\NPrzełom nastąpił w momencie, gdy Stany Zjednoczone zaostrzyły politykę eksportową w sektorze zaawansowanych technologii, aby ograniczyć rozwój Pekinu w sektorze półprzewodników.
\NDo tej pory Chinom uniemożliwiono dostęp do najważniejszych, zaawansowanych systemów litograficznych firmy ASML, jak również do niektórych dostawców z Japonii.
\NWedług firmy CXMT z Hefei jeden z ich produktów, wersja o pojemności 12 gigabajtów (GB), jest używany przez chińskie firmy produkujące smartfony, takie jak Xiaomi i Transsion.
\NFirma twierdzi, że nowy układ pamięci oferuje o 50 procent większą prędkość przesyłu danych i większą pojemność w porównaniu z poprzednią, energooszczędną pamięcią DDR4X, a jednocześnie zmniejsza zużycie energii o 30 procent.
\NWcześniej chiński gigant technologiczny Huawei Technologies zaskoczył świat modelem smartfona Mate 60 Pro, wyposażonym w zaawansowane układy scalone produkowane w Chinach.
\NRaporty niezależnych analiz wskazują, że układ scalony może wyprodukować największa chińska odlewnia układów scalonych, SMIC.
\NW tym tygodniu firma Loongson, specjalizująca się w produkcji układów centralnych, zapowiedziała również układ 3A6000 o mocy odpowiadającej procesorom Intel z 2020 roku.
\NZałożona w 2016 r. firma CXMT jest największą nadzieją Chin na dogonienie południowokoreańskich gigantów w dziedzinie układów pamięci, takich jak Samsung Electronics i SK Hynix, a także Micron Technology na światowym rynku pamięci DRAM.
\NSamsung wprowadził na rynek pierwszy w branży 8-gigabajtowy układ LPDDR5 w 2018 r., a w 2021 r. zmodernizował go do 16-gigabajtowego układu LPDDR5X opartego na procesie technologicznym 14 nm. Zapewnia on prędkość przetwarzania danych sięgającą 8500 megabitów na sekundę, czyli 1,3 raza szybciej niż poprzednia generacja.
\NFirma SK Hynix rozpoczęła masową produkcję pamięci DRAM LPDDR5 do urządzeń mobilnych w marcu 2021 r., natomiast Micron ogłosił wprowadzenie na rynek układów LPDDR5 na początku 2020 r., które według firmy będą wykorzystywane w smartfonie Xiaomi Mi 10.
\NZgodnie z nowymi przepisami USA, zaktualizowanymi w październiku, szereg kluczowych urządzeń do odlewania układów scalonych, w tym urządzenia do litografii, trawienia, osadzania, implantacji i czyszczenia, znalazło się na liście ograniczeń eksportowych. Celem jest ograniczenie zdolności produkcyjnych Pekinu w zakresie półprzewodników do najniższego poziomu, około 14 nm dla układów logicznych, 18 nm półrozstawu dla pamięci DRAM lub mniejszej i 128 warstw dla układów pamięci 3D NAND.
\N(Według SCMP)
\NChińska firma niespodziewanie produkuje najnowocześniejsze na świecie układy pamięci
\NKoreański producent układów pamięci bada pochodzenie podzespołów telefonu Mate 60 Pro
\NPołudniowokoreański gigant produkujący układy pamięci odnotował rekordową stratę
\NWiodąca chińska firma produkująca półprzewodniki po raz pierwszy z powodzeniem wyprodukowała nową generację zaawansowanych układów pamięci mobilnej. Jest to ważny krok w kierunku zmniejszenia dystansu do konkurentów z Korei Południowej i USA.
Firma ChangXin Memory Technologies (CXMT) poinformowała o pomyślnym wyprodukowaniu pierwszego w Chinach zaawansowanego układu pamięci DRAM o podwójnej szybkości transmisji danych (LPDDR5), podobnego do generacji układów pamięci wprowadzonych na rynek przez firmę Samsung Electronics w 2018 r.
Przełom nastąpił w momencie, gdy Stany Zjednoczone zaostrzyły politykę eksportową w sektorze zaawansowanych technologii, aby ograniczyć rozwój Pekinu w sektorze półprzewodników.
Do tej pory Chinom uniemożliwiono dostęp do najważniejszych, zaawansowanych systemów litograficznych firmy ASML, jak również do niektórych dostawców z Japonii.
Według firmy CXMT z Hefei jeden z ich produktów, wersja o pojemności 12 gigabajtów (GB), jest używany przez chińskie firmy produkujące smartfony, takie jak Xiaomi i Transsion.
Firma twierdzi, że nowy układ pamięci oferuje o 50 procent większą prędkość przesyłu danych i większą pojemność w porównaniu z poprzednią, energooszczędną pamięcią DDR4X, a jednocześnie zmniejsza zużycie energii o 30 procent.
Wcześniej chiński gigant technologiczny Huawei Technologies zaskoczył świat modelem smartfona Mate 60 Pro, wyposażonym w zaawansowane układy scalone produkowane w Chinach.
Raporty niezależnych analiz wskazują, że układ scalony może wyprodukować największa chińska odlewnia układów scalonych, SMIC.
W tym tygodniu firma Loongson, specjalizująca się w produkcji układów centralnych, zapowiedziała również układ 3A6000 o mocy odpowiadającej procesorom Intel z 2020 roku.
Założona w 2016 r. firma CXMT jest największą nadzieją Chin na dogonienie południowokoreańskich gigantów w dziedzinie układów pamięci, takich jak Samsung Electronics i SK Hynix, a także Micron Technology na światowym rynku pamięci DRAM.
Samsung wprowadził na rynek pierwszy w branży 8-gigabajtowy układ LPDDR5 w 2018 r., a w 2021 r. zmodernizował go do 16-gigabajtowego układu LPDDR5X opartego na procesie technologicznym 14 nm. Zapewnia on prędkość przetwarzania danych sięgającą 8500 megabitów na sekundę, czyli 1,3 raza szybciej niż poprzednia generacja.
Firma SK Hynix rozpoczęła masową produkcję pamięci DRAM LPDDR5 do urządzeń mobilnych w marcu 2021 r., natomiast Micron ogłosił wprowadzenie na rynek układów LPDDR5 na początku 2020 r., które według firmy będą wykorzystywane w smartfonie Xiaomi Mi 10.
Zgodnie z nowymi przepisami USA, zaktualizowanymi w październiku, szereg kluczowych urządzeń do odlewania układów scalonych, w tym urządzenia do litografii, trawienia, osadzania, implantacji i czyszczenia, znalazło się na liście ograniczeń eksportowych. Celem jest ograniczenie zdolności produkcyjnych Pekinu w zakresie półprzewodników do najniższego poziomu, około 14 nm dla układów logicznych, 18 nm półrozstawu dla pamięci DRAM lub mniejszej i 128 warstw dla układów pamięci 3D NAND.
(Według SCMP)
Chińska firma niespodziewanie produkuje najnowocześniejsze na świecie układy pamięci
Według firmy analitycznej TechInsights, Yangtze Memory Technologies (YMTC) – wiodący chiński producent układów pamięci – z powodzeniem stworzył „najbardziej zaawansowany na świecie” układ pamięci 3D NAND.
Koreański producent układów pamięci bada pochodzenie podzespołów telefonu Mate 60 Pro
Producent SK Hynix (Korea) był zaskoczony informacją, że jego układ pamięci został wykorzystany w najnowszym modelu smartfona Mate 60 Pro koncernu Huawei (Chiny).
Południowokoreański gigant produkujący układy pamięci odnotował rekordową stratę
Południowokoreański gigant na rynku układów pamięci SK Hynix właśnie ogłosił swoje najnowsze kwartalne wyniki biznesowe, wykazując stratę w wysokości 3,4 biliona wonów (równowartość 2,54 miliarda dolarów).
Źródło
Komentarz (0)