Samsung zahajuje hromadnou výrobu 12nm DDR5 DRAM

Podle Devdiscourse se nová paměť DRAM od společnosti zaměří na aplikace umělé inteligence s vyšším výkonem. Společnost Samsung uvedla, že nejnovější 12nm DDR5 DRAM nabízí oproti předchozí generaci významné výhody, jako je snížení spotřeby energie až o 23 % a zvýšení výtěžnosti waferů až o 20 %, což z ní činí ideální volbu pro globální IT společnosti, které chtějí minimalizovat spotřebu energie a snížit emise uhlíku pro své servery a datová centra.

12nm DDR5 DRAM slibuje vynikající výhody

Vývoj 12nm technologie je umožněn použitím nových materiálů, které zvyšují kapacitu článků, což vede k významným rozdílům napětí v datových signálech a usnadňuje jejich přesné rozlišení. Snaha společnosti o snížení šumu a provozního napětí navíc poskytuje ideální řešení pro zákazníky serverů.

Výkonný viceprezident pro produkty DRAM společnosti Samsung, Jooyoung Lee, uvedl, že nová DRAM odráží trvalý závazek společnosti být lídrem na trhu s DRAM, a to nejen díky vysoce výkonným a kapacitním produktům, které splňují potřeby trhu s výpočetní technikou pro velkoobjemové zpracování, ale také díky komercializaci řešení nové generace, která podporují vyšší výtěžnost.

Řada 12nm DDR5 DRAM od společnosti Samsung nabízí působivou maximální rychlost 7,2 Gb/s, což umožňuje zpracování 30GB UHD filmu za pouhou 1 sekundu. Tato výjimečná rychlost je vhodná pro širokou škálu aplikací, včetně datových center, umělé inteligence a výpočetní techniky nové generace.

Zdrojový odkaz: https://thanhnien.vn/samsung-bat-dau-san-xuat-hang-loat-dram-ddr5-12nm-185230518144342623.htm