Según TomsHardware , en el evento Investor Day (EE.UU.) celebrado la semana pasada, Sandisk presentó la plataforma UltraQLC, una tecnología que juega un papel importante en el desarrollo de SSD con capacidades de hasta 1 petabyte (PB). UltraQLC no es un tipo de memoria independiente, sino una combinación de BICS 8 QLC 3D NAND, un controlador con 64 canales NAND y software optimizado.
Los controladores juegan un papel fundamental en esta plataforma, integrando aceleradores de hardware especializados que reducen la latencia, aumentan el ancho de banda y mejoran la confiabilidad. Además, puede ajustar el consumo de energía según las necesidades de procesamiento, optimizando la eficiencia energética.
UltraQLC combina BICS 8 QLC 3D NAND, un controlador de 64 canales y un software optimizado, lo que permite capacidades SSD de hasta 1 petabyte sin sacrificar el rendimiento.
Según Sandisk, los SSD UltraQLC iniciales utilizarán chips de memoria NAND de 2 terabits (Tb), lo que permitirá unidades con 128 terabytes (TB) de capacidad. En el futuro, con la llegada de chips NAND de mayor capacidad, la compañía pretende desarrollar SSD de 256 TB, 512 TB y, eventualmente, 1 PB. Sin embargo, aumentar la capacidad implica el riesgo de una degradación del rendimiento, algo que Sandisk debe abordar para garantizar la estabilidad del sistema.
Además de UltraQLC, Sandisk también mencionó otra tecnología importante: 3D DRAM. A medida que las demandas de memoria continúan creciendo debido al desarrollo de la inteligencia artificial (IA) y los modelos de lenguaje grande (LLM), la empresa cree que el método tradicional de expansión de DRAM se está quedando gradualmente corto para satisfacer los requisitos. Sin embargo, a pesar de la investigación a largo plazo, Sandisk admite que todavía no existe una hoja de ruta clara para la DRAM 3D debido a los enormes desafíos tecnológicos.
En lugar de centrarse en la DRAM 3D, Sandisk está buscando alternativas como la memoria flash de alto rendimiento (HBF), que aumenta la escalabilidad de la memoria sin depender de los métodos tradicionales. Mientras tanto, todavía se están considerando otros enfoques, como invertir fuertemente en la producción de DRAM o desarrollar DRAM en la dirección 3D, pero no son factibles en el momento actual.
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Fuente: https://thanhnien.vn/ssd-1-petabyte-sap-thanh-hien-thuc-18525021810392021.htm
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