بالإضافة إلى هواوي ووهان شينشين، يشمل المشروع أيضًا شركتي تشانغجيانغ إلكترونيكس تيك وتونغفو ميكروإلكترونيكس، المتخصصتين في تغليف الدوائر المتكاملة، وفقًا لمصادر صحيفة ساوث تشاينا مورنينغ بوست. وتتولى هاتان الشركتان مسؤولية تقنية تجميع أنواع مختلفة من أشباه الموصلات، مثل وحدات معالجة الرسومات (GPUs) ووحدات المعالجة المركزية (HBMs)، في حزمة واحدة.

60lojarj.png
رسم ثلاثي الأبعاد لشريحة HBM داخل معالج ذكاء اصطناعي متقدم على خادم. الصورة: Shutterstock

يُعدّ دخول هواوي إلى سوق شرائح HBM أحدث محاولة للالتفاف على العقوبات الأمريكية. في أغسطس 2023، حققت الشركة الصينية عودةً مفاجئة في سوق الهواتف الذكية بتقنية الجيل الخامس 5G بإطلاقها هاتفًا متطورًا يستخدم شريحة 7 نانومتر المتطورة. لفت هذا الإنجاز الأنظار ودفع واشنطن إلى التدقيق الدقيق لفهم كيفية تحقيق بكين لهذا الإنجاز رغم محدودية وصولها إلى هذه التقنية.

ورغم أن الصين لا تزال في الأيام الأولى لتطوير شريحة HBM، فمن المتوقع أن تحظى تحركاتها بمراقبة دقيقة من قبل المحللين والمطلعين على الصناعة.

في مايو، أفادت وسائل الإعلام أن شركة تشانغشين ميموري تكنولوجيز، الشركة الرائدة في صناعة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) في الصين، قد طورت نموذجًا أوليًا لرقاقة ذاكرة الوصول العشوائي عالية الأداء (HBM) بالتعاون مع شركة تونغفو ميكروإلكترونيكس. وقبل ذلك بشهر، أفادت صحيفة "ذا إنفورميشن" أن مجموعة من الشركات الصينية بقيادة هواوي تتطلع إلى زيادة إنتاجها المحلي من رقائق ذاكرة الوصول العشوائي عالية الأداء (HBM) بحلول عام 2026.

في مارس، كشفت شركة ووهان شينشين عن خطط لبناء مصنع لشرائح HBM بطاقة إنتاجية تبلغ 3000 رقاقة بقياس 12 بوصة شهريًا. في الوقت نفسه، تسعى هواوي إلى الترويج لشريحة Ascend 910B كبديل لشريحة Nvidia A100 في مشاريع تطوير الذكاء الاصطناعي المحلية.

ذكرت صحيفة ساوث تشاينا مورنينغ بوست أن مبادرة هواوي لتصنيع رقائق الذاكرة عالية الأداء (HBM) لا يزال أمامها طريق طويل، إذ ستستحوذ أكبر شركتين مصنعتين في العالم - SK Hynix وSamsung Electronics - على ما يقرب من 100% من السوق بحلول عام 2024، وفقًا لشركة الأبحاث TrendForce. وستستحوذ شركة Micron Technology الأمريكية لتصنيع الرقائق على حصة سوقية تتراوح بين 3% و5%.

تستخدم شركات تصميم أشباه الموصلات الكبرى، مثل إنفيديا وAMD، إلى جانب إنتل، رقائق الذاكرة عالية الأداء (HBM) في منتجاتها، مما يُعزز الطلب العالمي. ومع ذلك، ووفقًا لسيمون وو، المدير الإداري لأبحاث التكنولوجيا في منطقة آسيا والمحيط الهادئ في بنك أوف أمريكا، فإن سلسلة توريد أشباه الموصلات الصينية ليست مستعدة بعد لاغتنام فرصة هذه السوق المزدهرة. وأضاف أن الصين تُركز بشكل رئيسي على الحلول منخفضة التكلفة ومتوسطة التكلفة، وهي غير قادرة بعد على إنتاج رقائق ذاكرة عالية الجودة.

(وفقا لصحيفة ساوث تشاينا مورنينج بوست)