Galaxy S25 Plus будет оснащен чипом Snapdragon 8 Elite

S25 Plus — одна из трех флагманских моделей, которые Samsung представит пользователям в начале 2025 года. Недавно был опубликован ряд сведений о продукте.

Совсем недавно S25 Plus появился в Geekbench с чипом Snapdragon 8 Elite, показав впечатляющие результаты. Эти результаты обещают значительный прирост производительности по сравнению с предшественником, Galaxy S24 Plus.

Galaxy S25 Plus будет оснащен чипом Snapdragon 8 Elite

Соответственно, S25 Plus набрал впечатляющие 3160 баллов в одноядерном тесте и 9941 балл в многоядерном. Этот результат значительно выше, чем в предыдущем тесте: S25 набрал 2481 и 8658 баллов соответственно.

Производительность S25 Plus близка даже к референсным устройствам Qualcomm Snapdragon 8 Elite, что демонстрирует стремление Samsung максимально раскрыть потенциал чипа.

Данные Geekbench подтверждают наличие чипсета Snapdragon 8 Elite для Galaxy с тактовой частотой 4,47 ГГц (выше 4,32 ГГц стандартной версии).

По слухам, Samsung Galaxy S25 Plus получит аккуратную заднюю панель с вертикальным расположением трёх камер, которая немного изменится. Ожидается, что блок камер на задней панели будет иметь более толстую чёрную рамку вокруг объектива.

Ожидается, что S25 Plus будет оснащён 6,7-дюймовым дисплеем LTPO с адаптивной частотой обновления от 1 до 120 Гц. Габариты смартфона могут немного отличаться от S24 Plus: около 158,4 x 75,7 x 7,3 мм, и он может быть примерно на 0,44 мм тоньше предшественника.

По данным инсайдера Ice Universe, Galaxy S25 Plus получит аккумулятор ёмкостью 4900 мА·ч, как и предшественник. По слухам, устройство получит 12 ГБ оперативной памяти и не менее 256 ГБ встроенной памяти.

Ожидается, что серия S25 будет запущена 22 или 23 января 2025 года.

Источник: https://kinhtedothi.vn/galaxy-s25-plus-se-duoc-trang-bi-chip-snapdragon-8-elite.html