Samsung начинает массовое производство 12-нм памяти DDR5 DRAM

По данным Devdiscourse , новая DRAM-память компании будет ориентирована на приложения искусственного интеллекта, требующие более высокой производительности. Samsung заявила, что новейшая 12-нм DDR5 DRAM обладает значительными преимуществами по сравнению с предыдущим поколением, такими как снижение энергопотребления до 23% и увеличение выхода годных пластин до 20%, что делает её идеальным выбором для международных ИТ-компаний, стремящихся минимизировать энергопотребление и сократить выбросы углерода для своих серверов и центров обработки данных.

12-нм DDR5 DRAM обещает выдающиеся преимущества

Разработка 12-нм технологии стала возможной благодаря использованию новых материалов, увеличивающих ёмкость ячеек, что приводит к существенной разнице напряжений в сигналах данных и упрощает их точное распознавание. Кроме того, усилия компании по снижению шума и рабочего напряжения обеспечивают идеальное решение для серверных заказчиков.

Исполнительный вице-президент по продуктам Samsung DRAM Джуён Ли отметил, что новая DRAM отражает неизменное стремление компании лидировать на рынке DRAM не только за счет высокопроизводительных и высокоемких продуктов, отвечающих потребностям рынка вычислительной техники для крупномасштабной обработки, но и за счет коммерциализации решений следующего поколения, поддерживающих более высокую доходность.

Линейка памяти DDR5 DRAM от Samsung, выполненная по 12-нм техпроцессу, обеспечивает впечатляющую пиковую скорость 7,2 Гбит/с, позволяя обрабатывать фильм UHD объёмом 30 ГБ всего за 1 секунду. Эта исключительная скорость делает её подходящей для широкого спектра приложений, включая центры обработки данных, искусственный интеллект и вычисления нового поколения.

Ссылка на источник: https://thanhnien.vn/samsung-bat-dau-san-xuat-hang-loat-dram-ddr5-12nm-185230518144342623.htm