Xatakaによると、Mate 60 Proが登場してから約2か月が経ち、集積回路製造分野の専門家は、SMICのエンジニアがチップの開発にASMLのTwinScan NXT:2000i UVP組み込みリソグラフィー装置とHuawei設計のツールを使用したことに同意している。極端紫外線リソグラフィー (EUV) ほど高度ではありませんが、製造プロセスが十分に改良されていれば、UVP 装置は 5nm および 7nm チップの製造に使用できます。
TwinScan NXT:2000i UVPから5nmチップを作成すること自体が技術的な偉業となるだろう
この発見に貢献した専門家の一人は、かつてTSMCの副社長を務めた電気技師、バーン・ジェン・リン氏だ。林氏はブルームバーグとの最近のインタビューで、中国が半導体製造技術の向上を続けるのを米国は止めることはできないと語った。実際、SMIC は TwinScan NXT:2000i UVP デバイスを使用して 5nm チップを製造できます。
今年9月初め、 TechInsightsの技術者は、SMICのエンジニアがASMLのUVP装置を使用して7nmチップを生産するための統合技術をうまく改良できれば、5nmチップが確実に登場できると予測した。当時提起された疑問の1つは、SMICがウェハ当たりどれだけの性能を達成できるかということだったが、Huaweiの広告では、SMICは7,000万台のMate 60 Proに対応できるチップを生産できると示されていた。
5nm チップの製造は 7nm チップの製造よりもはるかに複雑です。理論上、TwinScan NXT:2000i はこれを可能にしますが、SMIC のエンジニアは、リソグラフィー プロセスの解像度を高めるために、ウェーハに切り替えることを余儀なくされます。 SMIC のエンジニアは Kirin 9000S チップの製造にこの技術を使用した可能性が高いですが、5nm チップを実現するには、はるかに複雑なパターンを使用する必要があります。
専門家は、今後数か月以内にSMIC製の5nmチップを搭載した新しいHuaweiスマートフォンが発売されても不思議ではないと述べている。もしそれが実現すれば、それは確かに大きな偉業となるでしょう。なぜなら、ASML の UVP デバイスでそれを実現するのは、不可能ではないにしても極めて困難だからです。 11月16日以降、ASMLがTwinScan NXT:2000iを中国に供給することを阻止するための米国の制裁が延長されました。さらに、TwinScan NXT:1980Diデバイスも禁止リストに載っています。そうした状況において、中国が先行できる唯一の方法は、独自のEUVマシンを設計・製造することだ。同国は現在、独自のEUVマシンを研究しているが、これが10年末まで実現する可能性は低い。
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