この製品シリーズにより、サムスンはフラッシュメモリ分野で世界トップの地位を強化

日本経済新聞の最新発表によると、サムスンは2024年もNANDフラッシュメモリ市場で34.8%のシェアを維持し、世界トップの座を維持する見通しだ。

フラッシュメモリの世界的「王者」の地位

この韓国の巨大企業は2003年以来、長年にわたりデータストレージ分野で世界的リーダーシップを維持し、5G、AI、ビッグデータ時代の膨大なストレージニーズに応えてきました。

NANDフラッシュは、電源に接続されていない状態でもデータを保持し、何度も消去・書き換えが可能な不揮発性メモリ技術です。こうした利点から、NANDフラッシュはSDメモリカード、USBメモリ、SSDハードドライブ、スマートフォン、タブレット、携帯型ゲーム機、ドローン、アクションカメラ、ビデオカメラ、さらにはVRグラスなど、多くのデバイスの内部メモリの中核技術となっています。

NAND フラッシュテクノロジーは、Samsung の多くのメモリカードおよびハードドライブ製品の成功の基盤となっています。

2003年、サムスンはSDメモリカードにおける画期的な技術により、フラッシュメモリ分野で世界トップブランドとしての地位を確立しました。そして、そのリーダーシップを確固たるものにした次のマイルストーンは、世界初のV-NAND（垂直NAND）フラッシュメモリの導入でした。

V-NANDテクノロジーの革新的な垂直3D構造により、Samsungのメモリおよびフラッシュ製品は卓越した耐久性と高性能を実現しています。確固たる技術の伝統と継続的なイノベーションの精神により、Samsungは現在、日常的な使用からAI処理、3Dグラフィックス、ビデオまで、あらゆるニーズに応える多様な先進的なハードドライブ技術を有しています。

AI時代の新たな「切り札」

画期的なフラッシュメモリ技術により、Samsung は幅広い内蔵 SSD 製品を開発し、AI 時代のシンプルなものから複雑なものまで幅広いニーズに対応できるようになりました。

Samsung 9100 PRO NVMe SSDは傑出した製品です。画期的なPCIe 5.0パフォーマンスにより、この内蔵ハードドライブシリーズは最大14,800/13,400MB/秒のシーケンシャルリード/ライト速度（990 PROの2倍）を実現します。ランダムリード/ライト速度も最大2,200K/2,600K IOPSを突破し、複数の個別データを高速に同時処理できます。

これらすべてにより、高負荷のゲーム、高負荷のタスク、AIアプリケーションにおいて、優れた出力パフォーマンスと瞬時の読み込み時間を実現します。最大8TBまで拡張可能な容量により、ビデオ編集、3Dコンテンツ制作、さらには長時間のライブストリーミングにも十分なストレージ容量を提供します。

Samsung 9100 PRO NVMe SSD は、画期的な PCIe 5.0 パフォーマンスにより驚異的な速度を実現します。

Samsung 9100 PRO NVMe SSDは、パフォーマンスを向上させるため、最先端の5nmコントローラ電力アーキテクチャを採用し、990 PROと比較して最大49%の電力効率向上を実現します。優れた熱管理システムにより、ユーザーワークフローが中断されることなく、最も要求の厳しいアプリケーションでもPCIe 5.0の最大限のパフォーマンスで実行できます。

もう一つの注目すべき内蔵ハードドライブは、Samsung 990 EVO Plusです。最新のNANDテクノロジーを搭載し、最大7,250/6,300MB/秒のシーケンシャルリード/ライト速度を実現（前モデル比45%高速化）。ニッケルコーティングされたコントローラーによりエネルギー効率は73%向上し、パフォーマンスと熱制御を維持しながら、ワットあたりのMB/秒が向上しています。

インテリジェント TurboWrite 2.0 テクノロジーと新しい拡張 TurboWrite ゾーンにより、最大 4 TB まで拡張された容量とより高速な書き込み速度を実現し、優れた柔軟性を実現します。